据主导
，
而完全接合后实现了量子阱阱层发光为主导
，
寄生发光几乎消失
。
阴极
荧光测试表明
，
该寄生发光起源于
缓冲层和门
，
与其中的缺陷有关
。
表
面完全接合的
量子阱的变温光致发光表明
，
量子阱中存在很强的局域化效
应
，
其发光和局域激子的跳跃息息相关
。
在厘清寄生发光起源的基础上
，
我们提
出了在押
和量子阱之间增加了
空穴阻挡层的设计构想
。
第一性原理计
算结果表明
，
此空穴阻挡层不仅对注入的空穴起到阻挡的作用
，
还增加了靠近它
的量子阱对空穴的阱深
，
提高了阱对空穴的限制作用
。
进而釆用
成功外延
了所设计的结构
，
实现了其对空穴的阻挡作用
，
达到了抑制寄生发光峰的目的,
最终获得了来自量子阱阱层的单一电致发光
。
最后
，
在工艺优化和结构设计的基
础上
，
我们通过调节阱层
、
垒层以及"和
型层中的小组分
，
结合标准芯片制作工
艺和倒装技术
，
成功制备了具有良好电学和发光性能的
深紫外
。
(
除了提高
的晶体质量外
，
以
量子点作为紫外
的有源
区可以更好地对载流子进行限制
，
提高发光效率和改善器件性能
。
依此
，
我们釆
技术成功制备了自组织生长
、
发光波长短至
的高密度六棱台状
量子点结构
。
进一步的变温
和变温
研究表明
，
在
范围内
，
辐射复合寿命随温度变化保持不变
，
且辐射复合都占主导
，
而非辐射复合被很好
地抑制
，
使得
量子点的内量子效率高达
。
此外
，
我们通过变功率
谱测试发现
,
量子点的发光波长和半高宽随激光功率的改变而保持基本不
变
，
显示出了独特
、
良好的稳定性
。
第一性原理计算的结果表明
，
量子点
的高发光效率和波长稳定性特性不仅是由于载流子的三维限制效应引起的
，
极化
效应的削弱也起着重要的作用
。
最后
，
通过外延生长和工艺制备
，
我们成功实现
了
量子点紫外
电致发光波长短至
的突破
。
值得一提的是
，
当
电流从
增加
时
，
虽然芯片温度升高了
但其
发光峰位仅红移
了
),
表明我们制备的
量子点紫外
具有良好的发光
波长热稳定性
。
关键词
：
半导体
；
量子阱
；
量子点
；
紫外
；
技术;
第一性原理计算
。
