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NOR FLASH应用实验
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2010-08-24
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此文档是基于S3C2410的ARM处理器,来描述了norflash的相关操作,和驱动。其中包含了各种操作的时序,和方法思路。
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实验 11 Nor flash 实验
1、实验目的
了解 Nor flash 存储器及 SST39VF160 nor flash 器件。
掌握 S3C2410X 对 SST39VF160 nor flash 编程。
2、实验内容
编写程序,实现向 Nor flash 的某个块写数据,然后从这个块读出数据。
3、实验设备
S3C2410 开发板。
ADS1.2 集成开发环境,JTAG 调试器。
串口连接线。
4、实验原理
4.1 Flash(闪存)的特点
闪速存储器(flash memory)是一类非易失性存储器 NVM(Non Volatile memory)即
使在供电电源关闭后仍能保持片内信息,而诸如 DRAM、SRAM 这类易失性存储器,当电
源关闭时,片内信息随即丢失。 Flash memory 集其他类非易失性存储器的特点:与
EPROM 相比较,闪速存储器具有明显的优势――在系统电可擦除和可重复编程,而不需
要特殊的高压,与 EEPROM 相比较,闪速存储器具有成本低、密度大的特点。其独特的性
能使其广泛地运用与各个领域,包括嵌入式系统,如 PC 及外设、电信交换机、蜂窝电话。
网络互连设备、仪器仪表和汽车器件。同时还包括新兴的话音、图像、数据存储类产品,
如是数字相机、数字录音机和个人数字助理。
4.2 Nor flash 简介
程序和数据可存放在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,
允许系统直接从 flash 中读取代码执行(XIP,eXecute In Place),而无需先将代码下载至
RAM 中再执行。
可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执行擦除操作,
flash 的擦除和编程速度较慢,而块的尺寸又较大,因此擦除和编程操作所花费的时间很长,
在纯数据存储和文件存储的应用中,Norflash 技术显得力不从心。
作为代码存储器,nor flash 映射在处理器的 bank0 地址空间(从系统地址 0x00000000
开始)。系统上电复位,处理器就自动从 0x00000000 地址处开始取得指令运行。因此 nor
flash 中要存放系统启动代码,这些代码必须在系统上电时开始取得一系列初始化的工作,
例如设置中断处理程序入口、初始化看门狗、中断控制器、时钟控制器、DMA 控制器、存
储器控制器及堆栈等等。经过了这些初始化,系统才得意正确启动并开始工作。通常处理
器的供应商都会提供启动的范例程序。
4.3SST39VF160 nor flash 简介
SST39VF160 是由 SST 公司推出的容量为 1MB×16bit 的 CMOS 多用途 flash。它的主要
特性如下:
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buzaiyouyu001
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