micron 512GB nand flash datasheet

### Micron 512GB NAND Flash Datasheet 关键知识点 #### 一、产品概述 Micron 512GB NAND Flash Memory 是一款采用多级单元 (MLC) 技术的存储器，适用于各种闪存控制器设计。该产品符合 ONFI 2.2 规范，并提供多种容量选择，包括 64Gb、128Gb、256Gb 和 512Gb。其主要特性包括同步和异步接口性能、高级命令集以及高质量与可靠性保证。 #### 二、技术规格 ##### 1. 接口标准 - **ONFI 2.2 合规性**：该闪存遵循 ONFI 2.2 规范，支持开放 NAND 闪存接口标准，确保了与其他 ONFI 兼容产品的互操作性。 - **多级单元 (MLC) 技术**：采用 MLC 技术实现更高的存储密度和成本效益。 ##### 2. 组织结构 - **页面大小**：8 位宽时为 8,640 字节（8,192 + 448 字节），包含用户数据区域和用于纠错码 (ECC) 的额外空间。 - **块大小**：每个块包含 256 页，总大小约为 2,048KB + 112KB。 - **平面大小**：每个平面包含 2 个平面，每个平面有 2,048 个块。 - **设备大小**： - 64Gb：4,096 块； - 128Gb：8,192 块； - 256Gb：16,384 块； - 512Gb：32,768 块。 ##### 3. I/O 性能 - **同步 I/O 性能**： - 最高支持同步定时模式 5。 - 时钟速率：10ns (DDR)。 - 每引脚读写吞吐量：200MT/s。 - **异步 I/O 性能**： - 最高支持异步定时模式 5。 - tRC/tWC：最小值 20ns。 ##### 4. 阵列性能 - **读取页面时间**：最大值 50μs。 - **编程页面时间**：典型值 1300μs。 - **擦除块时间**：典型值 3ms。 ##### 5. 工作电压范围 - **VCC**：2.7–3.6V。 - **VCCQ**：1.7–1.95V 或 2.7–3.6V。 ##### 6. 命令集 - **ONFI NAND Flash 协议**：支持标准命令集。 - **高级命令集**： - 程序缓存。 - 顺序读取缓存。 - 随机读取缓存。 - 一次性可编程 (OTP) 模式。 - 多平面命令。 - 多逻辑单元 (LUN) 操作。 - 读取唯一 ID。 - 复制回写操作。 ##### 7. 操作状态字节 - 提供软件方法来检测操作完成情况、通过/失败条件以及写保护状态。 ##### 8. 数据选通信号 (DQS) - 提供硬件方法来在同步接口中同步数据 DQ。 ##### 9. 质量与可靠性 - **数据保持**：10 年。 - **耐久性**：5000 次编程/擦除周期。 ##### 10. 工作温度 - **商业级**：0°C 至 +70°C。 - **工业级 (IT)**：-40°C 至 +85°C。 ##### 11. 封装 - **52 引脚 LGA**。 - **48 引脚 TSOP**。 - **100 球 BGA**。 #### 三、使用注意事项 - **初始化**：上电后必须以 RESET (FFh) 命令作为第一个命令。 - **错误管理**：出厂时第一个块 (地址 00h) 有效。对于最低要求的 ECC，请参见文档中的“错误管理”部分。 - **复制回写操作**：仅支持在同一平面内进行复制回写操作。 #### 四、总结 Micron 512GB NAND Flash Memory 提供了高性能、可靠性和灵活性，非常适合用于设计高性能闪存控制器。通过支持 ONFI 2.2 标准，确保了与业界其他 NAND 产品的互操作性。此外，其丰富的命令集和优化的组织结构使得这款 NAND 闪存在满足当前和未来存储需求方面具有明显优势。无论是商用还是工业应用，Micron 512GB NAND Flash Memory 都能够提供卓越的数据保持能力和耐用性。