《计算机组成原理》实验3存储器试验.pdf

实验三的存储器试验主要目的是让学生深入理解静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, SRAM）的工作机制，并熟练掌握对其读写操作。在这个实验中，学生将通过实际操作来学习存储器的基本操作和控制逻辑。 实验的核心是CBUS（Computer Bus），它是一个共享的通信通道，用于传递地址、数据和控制信号。在SRAM中，`M_nRD`（Memory not Read）和`M_nWR`（Memory not Write）是两个关键的控制信号，它们由CBUS上的`nM_RD`和`nM_WR`提供。当`nM_RD`为低电平时，表示要执行读操作，`nM_WR`为低电平则表示执行写操作。实验中提到的控制逻辑图未给出，但通常这些信号的逻辑状态由CPU或其他控制器根据指令集来设定。 实验步骤包括： 1. 连接硬件：学生需要正确连接实验仪上的CBus、ABus、DBus、iDBus等单元，确保所有必要的接口如M_nIO、nRD、nWR、nINTA等都正确连接到相应的存储器和控制单元。 2. 复位系统：打开实验仪电源后，通过CON单元的nRST按键进行系统复位，确保所有设备处于初始状态。 3. 写入数据：向存储器的地址01H和02H写入数据11H和22H。写入过程涉及地址信号的提供，然后是数据信号的传输，同时控制信号M_nWR被激活以指示写操作。 4. 读取数据：之后，从01H和02H地址读取数据，检查读出的数据是否与之前写入的相同。读操作中，M_nRD会被置为低电平，允许从选定地址读取数据。 在整个实验过程中，要注意中断响应信号nINTA的处理，将其置为高电平（K12）可避免中断对读写存储器操作的干扰。 实验中，学生需要关注每个步骤中涉及到的信号变化，例如在读取01H地址单元时，需要记录的信号包括地址信号A0..A7、读控制信号nRD以及数据总线上的变化。这有助于理解存储器访问的完整流程。 通过这个实验，学生不仅能够了解SRAM的基本结构和工作模式，还能增强实际操作技能，为后续深入学习计算机系统和硬件设计打下坚实基础。同时，这个实验也强调了地址选择、数据传输和控制信号在存储器操作中的关键作用，这些都是计算机组成原理中的核心概念。