besti计组复习-第4、7章

计组期末复习冲刺 wxc

第 4+7 章 存储系统

一、基本概念

1、框架导图

（附图）

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存储字数表示存储器的地址空间大小，字长表示一次存取操作的数据量。

②单位成本：每位价格 = 总成本 / 总容量

③存储速度：数据传输率 = 数据的宽度 / 存取周期

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概念辨析

Ⅰ. 存取时间： 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，分为读

出时间和写入时间。

Ⅱ. 存取周期： 存取周期又称读写周期或访问周期。它是指存储器进行一次完整的读写操

作所需的全部时间，即连续两次独立访问存储器操作（读或写操作）之间所需最小时间间隔。

（分为读周期、写周期）

读写操作之后，总要有一段恢复内部状态的复原时间【刷新/再生】。

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二、主存储器

1、基本概念

·记忆单元（位元）：具有两种稳态的能够表示二进制数码 0 和 1 的物理器件。（锁存器、

触发器、寄存器）

·存储单元：主存中具有相同地址的位构成一个存储单元。（若干储存元组成储存单元）

·存储体：若干存储单元构成一个存储体。

·主存容量：以字或字节为单位来表示主存储器存储单元的总数。

·编址方式：对存储体中各存储单元进行编号的方式。分为按字节编址和按字编址。

·存储器地址寄存器（MAR）：用于存放主存单元地址的寄存器。

·传输单位：对主存而言，指一次从存储器读出或写入的数的位数，它可以不等于存储字

的长度，也可不等于编址单位。对外存而言，数据通常按块传输。

（例如：386/486 等，其编址单位为字节、字长为 32 位，单字位数为 16 位，但传输单位

可以是 8/16/24/32 位。）

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（2）主存储器组成和指令执行原理

RAM 分为 SRAM（静态随机存储器）和 DRAM（动态随机存储器），它们都属于易失

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性存储器，只要电源被切断，原来保存的信息便会丢失。DRAM 的每位价格低于 SRAM,速

原理：静态随机存储器（SRAM）的储元是用双稳态触发器（元晶体管 MOS）来记忆

信息的，因此即使信息被读出后，它仍保持其原状态而不需要再生(非破坏性读出)。

4.3、DRAM

①原理：

动态随机存储器（DRAM）是利用存储元电路中栅极电容上的电荷来存储信息的，但

其电容上的电荷一般只能维持 1-2ms，因此即使电源不断电，信息也会自动消失，为此每隔一

定时间必须刷新（即将存储单元的信息读出在立马写入），通常取 2ms，存储器两次完整刷新

之间的时间间隔称为刷新周期，信息存储到泄漏之间必须完成刷新称为最大刷新周期。

③DRAM 刷新——按行刷新，与行地址有关

三种刷新方式：集中刷新、分散刷新、异步刷新（集中+分散）

Ⅰ. 集中刷新：指在一个刷新周期内，利用一段固定的时间，依次对存储器的所有行进

行逐一再生，在此期间停止对存储器的读写操作，称为“死时间” 或访存“死区”。

优点：读写操作时不受刷新工作的影响；

缺点：在集中刷新期间（死区）不能访问存储器。

可以避免连续等待过长时间，而且减少刷新次数，从根本上提高整机工作效率。