光刻工艺是半导体制造中的关键技术，它涉及到将电路设计图案从掩膜版转移到硅片上的过程。本章主要讲解了光刻工艺的基础，包括显影、掩膜版使用以及最终检验，这些都是集成电路制造的关键步骤。
显影是将曝光后的光刻胶转化为所需图形的过程。光刻胶在曝光后，其聚合状态会根据是否受到光线照射而改变。对于负性光刻胶，曝光区域发生聚合，显影时这部分不会被溶解，而未曝光区域则会被溶解，形成所需的图形。显影过程中要注意防止不完全显影（显影不足）和过度显影，这两种情况都可能导致图形不准确。显影液的选择和处理，如二甲苯、Stoddard溶剂、n-酸丁酯和水，对显影效果至关重要。
正性光刻胶的工作原理与负性相反，曝光区域在显影过程中会被溶解，而非曝光区域保留。正性胶对工艺参数更为敏感，例如软烘焙时间、曝光量、显影液浓度和温度都会影响最终的线宽精度。显影工艺参数需要通过实验来优化，以确保图形的精确复制。
显影方法主要有湿法显影、干法显影（等离子体）和混凝显影。湿法显影是最传统的方式，但也存在显影液对微小开口填充不足、光刻胶残留、显影液稀释和污染等问题。喷射显影解决了这些问题，提供新鲜的显影液，减少了化学品的使用，特别适合负性光刻胶。混凝显影是针对正性光刻胶的改进工艺，通过预热晶圆和控制显影时间，提高显影效率。干法显影利用等离子体进行化学刻蚀，适用于那些对湿法显影反应较差的材料。
硬烘焙是显影之后的一步，目的是蒸发掉光刻胶中的溶剂，增强光刻胶与晶圆表面的粘附力，为后续的蚀刻步骤做准备。烘焙工艺通常在对流炉中进行，温度和时间需要根据具体材料和工艺要求来精确控制。
光刻工艺是集成电路制造中的核心环节，显影、掩膜版使用、定位误差的控制以及烘焙工艺的选择和优化，都直接影响着半导体器件的性能和良品率。理解并掌握这些基础知识对于提升集成电路制造水平至关重要。
