2SJ319L-VB一款P-Channel沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SJ319L-VB；Package：TO251；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-200V；VGS：20（±V）；Vth：-2.5V；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V；ID：-5A；Technology：Trench；