2SJ182L-VB一款P-Channel沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SJ182L-VB；Package：TO251；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-60V；VGS：20（±V）；Vth：-1.7V；RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V；ID：-20A；Technology：Trench；