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2SJ182L-VB一款P-Channel沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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2024-08-14
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2SJ182L-VB;Package:TO251;Configuration:Single-P-Channel;VDS:-60V;VGS:20(±V);Vth:-1.7V;RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V;ID:-20A;Technology:Trench;
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