RTR025N03TL-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### RTR025N03TL-VB:N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 一、产品概述 RTR025N03TL-VB是一款采用SOT23封装形式的N-Channel沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。该器件的最大工作电压为30V,连续电流能力为6.5A,并且在VGS=10V时具有低至30mΩ的导通电阻(RDS(ON))。此外,它的工作温度范围宽广,能够适应各种环境条件。 #### 二、技术特点 1. **无卤素**:根据IEC 61249-2-21标准定义,该MOSFET为无卤素设计,更加环保。 2. **TrenchFET® Power MOSFET**:采用先进的沟槽技术,提高了效率,降低了损耗。 3. **全Rg测试**:每个器件均经过严格的栅极电阻测试,确保性能一致性。 4. **符合RoHS指令2002/95/EC**:满足欧盟关于限制有害物质的规定,适合出口到欧洲市场。 #### 三、电气特性 - **最大绝对额定值**: - **漏源电压VDS**:30V - **栅源电压VGS**:±20V - **连续漏极电流ID(结温150°C)**: - TC=25°C时为6.5A - TC=70°C时为6.0A - TA=25°C时为5.3A - TA=70°C时为5.0A - **脉冲漏极电流IDM**:25A - **连续源漏电流IS**: - TC=25°C时为1.4A - TA=25°C时为0.9A - **最大功耗PD**: - TC=25°C时为1.7W - TC=70°C时为1.1W - TA=25°C时为1.1W - TA=70°C时为0.7W - **结温范围TJ, Tstg**:-55°C 至 +150°C - **热阻**: - **最大结至环境温度RthJA**:90°C/W(典型),115°C/W(最大) - **最大结至引脚(漏极)温度RthJF**:60°C/W(典型),75°C/W(最大) - **静态特性**: - **漏源击穿电压VDS**:最小值30V(VGS=0V,ID=250μA) - **动态特性**: - **导通电阻RDS(ON)**:在VGS=10V时为30mΩ,在VGS=4.5V时为33mΩ - **栅极电荷Qg**:4.5nC(典型) #### 四、工作条件与可靠性 - **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C - **存储温度范围**:-55°C 至 +150°C 超过“最大绝对额定值”的条件可能会导致永久性损坏。这些额定值仅表示器件可以承受的最大极限值,不意味着在这些条件下器件能正常工作。长时间暴露于极端条件下可能会影响器件的可靠性。 #### 五、应用领域 - **DC/DC转换器**:由于其高效能和低损耗特性,适用于各种电源转换场景,如计算机电源、服务器电源等。 - **马达控制**:适合用于驱动直流电机或步进电机等应用。 - **电池管理系统**:可用于电池充电管理、电池保护电路等。 - **电源管理**:适用于各种便携式电子设备中的电源管理模块。 #### 六、注意事项 - 在使用过程中,请注意不要超过器件的最大绝对额定值,以免造成损坏。 - 对于焊接过程,推荐峰值温度为260°C,以避免过热对器件造成伤害。 #### 七、结语 RTR025N03TL-VB作为一款高性能的N-Channel沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围,是各种电子系统中不可或缺的重要元件之一。通过深入了解其各项参数和技术特性,可以帮助工程师们更好地选择和应用该器件,从而提高产品的整体性能和可靠性。
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