05N03LB-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05N03LB-VB;Package:TO252;Configuration:Single-N-Channel;VDS:30V;VGS:20(±V);Vth:1.7V;RDS(ON)=3mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V;ID:100A;Technology:Trench; ### 05N03LB-VB N-Channel沟道TO252 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 产品概述 05N03LB-VB是一款采用TO252封装的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有以下特点: - **技术类型**:TrenchFET® Power MOSFET。 - **测试标准**:100% Rg和UIS测试。 - **环保合规**:符合欧盟RoHS指令2011/65/EU。 #### 主要参数 - **最大工作电压**:VDS(Drain-Source Voltage)为30V。 - **最大栅源电压**:VGS(Gate-Source Voltage)为±20V。 - **阈值电压**:Vth为1.7V。 - **导通电阻**:RDS(ON)在VGS=4.5V时为3mΩ,在VGS=10V时为2mΩ。 - **最大连续电流**:ID为100A。 #### 绝对最大评级 - **最大漏源电压**:VDS为30V。 - **最大栅源电压**:VGS为±20V。 - **最大连续漏极电流**: - TJ=175°C时为100A。 - TA=25°C时为80A。 - TA=70°C时为35.8A。 - **最大脉冲漏极电流**:IDM为300A。 - **雪崩电流脉冲**:IL为0.1mA。 - **单脉冲雪崩能量**:AS为4.8mJ。 - **最大连续源极-漏极二极管电流**: - TA=25°C时为90A。 - TA=70°C时为3.13A。 - **最大耗散功率**: - TA=25°C时为235W。 - TA=70°C时为165W。 - **工作结温范围**:-55°C至175°C。 #### 热阻参数 - **最大结到环境热阻**:RthJA为32~40°C/W。 - **最大结到壳热阻**:RthJC为0.5~0.6°C/W。 #### 特性与优势 05N03LB-VB MOSFET具备以下特性与优势: - **低导通电阻**:该器件在不同栅源电压下展现出较低的RDS(ON),有助于降低导通损耗。 - **高可靠性**:通过了100% Rg和UIS测试,确保了产品的可靠性和一致性。 - **环保设计**:符合RoHS指令,减少了有害物质的使用。 - **紧凑型封装**:TO252封装提供良好的散热性能,适用于空间受限的应用场景。 #### 应用领域 - **电源管理**:适用于服务器、数据通信等设备中的电源管理模块。 - **DC/DC转换器**:在高效能的DC/DC转换器中作为开关元件使用。 - **过载保护**:在电路中用于实现过载保护功能,例如OR-ing应用。 #### 使用注意事项 - 在超出“绝对最大评级”的条件下使用该器件可能会导致永久性的损坏。 - 虽然这些是应力评级,但在规格说明书的操作部分未明确指示的情况下,在任何其他条件下的功能性操作并不被保证。 - 长时间暴露于绝对最大评级条件可能会影响设备的可靠性。 #### 结论 05N03LB-VB N-Channel MOSFET是一款高性能、低功耗的器件,适合应用于电源管理和功率转换系统中。其紧凑的封装形式和出色的热性能使其成为许多电子设备的理想选择。通过详细了解其各项参数和特性,可以帮助工程师更好地设计并优化电路,从而提高系统的整体效率和稳定性。
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