MTB250N10KRSN3-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
### MTB250N10KRSN3-VB: SOT23 封装 N-Channel 场效应 MOS 管详细解析 #### 一、产品概述 MTB250N10KRSN3-VB是一款采用SOT23封装的小型化N-Channel沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由VBsemi(维博半导体)生产。这款MOSFET具有以下特点: - **TrenchFET®技术**:采用先进的沟槽栅极结构,提高了器件的性能和可靠性。 - **全Rg测试**:确保每个器件都经过了严格的导通电阻测试,以保障其一致性和稳定性。 - **全UIS测试**:Unclamped Inductive Switching(未钳位感应开关)测试,用于验证器件在未控制状态下的耐用性。 - **材料分类**:符合特定的应用需求和标准。 #### 二、主要参数 根据数据手册提供的信息,我们可以总结出MTB230N10KRSN3-VB的主要电气特性如下: - **额定电压**:最大漏源电压为100V(`V_Dr`),这表示该MOSFET可以在最高100V的工作电压下安全运行。 - **额定电流**:最大连续漏极电流为2A(`I_D`),表示该器件可以承受的最大连续电流为2A。 - **导通电阻**:在VGS=10V时,导通电阻为246mΩ(`R_DS(on)`)。导通电阻越小,器件的损耗就越低。 - **阈值电压**:阈值电压为2V(`V_th`),即当栅源电压达到2V时,MOSFET开始导通。 - **栅极电荷**:栅极电荷为2.9nC(`Q_g`)。 #### 三、绝对最大评级 - **漏源电压**:最大漏源电压为100V。 - **栅源电压**:最大栅源电压为±20V。 - **连续漏极电流**:在不同温度条件下,连续漏极电流范围为1.3A至1.8A。 - **脉冲漏极电流**:最大脉冲漏极电流为7A。 - **连续源漏电流**:最大连续源漏电流为2.1A。 - **单脉冲雪崩电流**:最大单脉冲雪崩电流为0.1mA。 - **单脉冲雪崩能量**:最大单脉冲雪崩能量为1.25mJ。 - **最大功率耗散**:最大功率耗散范围为1.25W至2.5W。 - **工作结温**:工作结温和存储温度范围为-55℃至150℃。 - **热阻**:最大结对环境温度热阻为100°C/W。 #### 四、应用领域 MTB250N10KRSN3-VB广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于: - **DC/DC转换器**:在电源管理和转换系统中作为开关元件。 - **负载开关**:用于控制电路中的电源通断。 - **LED背光**:在LCD电视等显示设备中的背光驱动电路。 #### 五、技术细节 - **静态特性**:在不同的栅源电压下,该MOSFET的导通电阻和漏源击穿电压等静态参数均有所变化。 - **动态特性**:栅极电荷、开关时间等动态参数对于评估MOSFET在高频开关应用中的表现至关重要。 #### 六、注意事项 - 超过“绝对最大评级”表中的任何一项指标都可能永久损坏该器件。 - 设计时应考虑到器件的实际工作条件,避免超出规格范围。 - 在长时间暴露于绝对最大评级条件下,可能会降低器件的可靠性和寿命。 通过以上分析可以看出,MTB250N10KRSN3-VB是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET,适用于各种电源管理及转换应用场合。
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