没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
MTB15P04J3-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
0 下载量 140 浏览量
2024-10-12
13:58:53
上传
评论
收藏 470KB PDF 举报
温馨提示
-40V;-65A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=-1.6V
资源推荐
资源详情
资源评论
FEATURES
• T
renchFET
®
power MOSFET
•
Package with low thermal resistance
• 100 % R
g
and UI
S tested
Notes
a
. Package limited.
b. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.
c. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).
d. Parametric verification ongoing.
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V) -40
R
DS(on)
() at
V
GS
= -10 V 0.012
R
DS(on)
() at
V
GS
= -4.5 V 0.015
-
I
D
(A)
50
Configuration Single
S
G
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMU
M RATINGS (T
C
= 2
5 °C, unless otherwise noted)
PARAME
TER SYMBOL LIMIT UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS
-40
V
Gate-Source Voltage V
GS
± 20
T
C
= 25 °C
Continu
ous Drain Current
a
I
D
-50
T
C
A
= 125 °C -39
Continu
ous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-50
Puls
ed Drain Current
b
I
DM
-200
S
i
ngle Pulse Avalanche Current I
L = 0.1 mH
AS
-40
S
ing
le Pulse Avalanche Energy
E
AS
80
mJ
T
A
= 25 °
Maxi
mum Power Dissipation
b
C
P
D
3
T
C
W
= 25 °C 136
T
C
= 125 °C 45
Oper
ating Junction and Storage Temperature Range T
J
, T
stg
-55 to +175 °C
THERM
AL RESISTANCE RATINGS
PARAME
TER SYMBOL LIMIT UNIT
PCB MountJunction-to-Ambient
c
R
thJA
50
°C/
W
Junction-to-Case (Drain) R
thJC
1.1
P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET
MTB15P04J3
www.VBsemi.com
TO-252
T
op V
ie
w
1
服务热线:400-655-8788
资源评论
VBsemi_MOS
- 粉丝: 8126
- 资源: 2603
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
最新资源
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功