MSI4953-VB一款SOP8封装2个P-Channel场效应MOS管
### MSI4953-VB – 一款SOP8封装双P-Channel场效应管(MOSFET) #### 概述 MSI4953-VB是一款采用SOP8封装的双P-Channel沟道场效应晶体管(MOSFET),其设计用于负载开关等应用领域。这款MOSFET具有两个独立的P-Channel MOSFET,每个MOSFET都具有相同的电气特性,能够在高达-30V的工作电压下工作,并且能够承受最大-7A的连续电流。 #### 特点与优势 - **无卤素**: 符合环保要求,适用于对环境友好的应用。 - **TrenchFET®技术**: 这是一种先进的功率MOSFET技术,可以提高能效并减小导通电阻(RDS(on)),从而减少热损耗。 - **100% UIS测试**: 表明该MOSFET经过了严格的单元中断应力(UISTest)测试,确保了产品的可靠性和耐用性。 #### 主要规格参数 - **额定电压(VDS)**: -30V,即最大可承受的反向漏源电压。 - **导通电阻(RDS(on))**: 在VGS=-10V时,RDS(on)为0.035Ω,在VGS=-4.5V时,RDS(on)为0.045Ω。这表示在不同栅源电压下,MOSFET的导通电阻变化情况。 - **连续漏极电流(ID)**: 最大-7.3A至-7.0A之间,取决于工作温度条件。 - **栅源电荷(Qg)**: 17nC,在VGS=-10V时测量得到的栅极电荷值。 - **阈值电压(Vth)**: -1.5V,这是开启MOSFET所需的栅源电压。 #### 绝对最大额定值 - **漏源电压(VDSS)**: -30V,这是MOSFET所能承受的最大漏源电压。 - **栅源电压(VGS)**: ±20V,表明MOSFET可以承受的最大正向或反向栅源电压。 - **连续漏极电流(ID)**: -7.3A至-7.0A不等,取决于结温条件。 - **脉冲漏极电流(IP)**: 未给出具体数值,但脉冲电流通常比连续电流高。 - **连续源漏电流(IS)**: -4.1A至-2.0A不等,取决于结温条件。 - **雪崩电流(IL)**: 0.1mA,这是MOSFET可以安全处理的雪崩电流限制。 - **单脉冲雪崩能量(EAS)**: 20mJ,表明MOSFET可以承受的单次脉冲雪崩能量。 - **最大功耗(PD)**: 5.0W至2.5W不等,取决于散热条件。 - **工作温度范围(TJ, Tstg)**: -55℃至150℃,这是MOSFET可以正常工作的温度范围。 #### 热阻参数 - **结到环境热阻(RthJA)**: 38°C/W至50°C/W不等,这是MOSFET在不同条件下从结到周围环境的热阻。 - **结到脚热阻(RthJF)**: 20°C/W至25°C/W不等,这是MOSFET在不同条件下从结到脚的热阻。 #### 封装与布局 MSI4953-VB采用SOP8封装,这种封装紧凑且适合表面贴装技术(SMT)。封装内部有两个独立的P-Channel MOSFET,每个MOSFET都有自己的源极(S)、栅极(G)和漏极(D)引脚。具体的封装布局如图所示: ``` S1 G1 D1 S2 G2 D2 ``` #### 应用场景 由于MSI4953-VB具有低导通电阻、高工作电压等特点,非常适合用于负载开关、电源管理、电池保护电路等应用场景。此外,由于其采用了先进的TrenchFET技术,使得它在能效方面具有明显的优势,特别适用于需要高效节能的应用场合。 #### 总结 MSI4953-VB是一款高性能的双P-Channel MOSFET,它不仅符合环保标准,还具有出色的电气性能和可靠性。通过上述详细介绍,我们可以了解到该MOSFET的规格参数、绝对最大额定值以及热阻特性等关键信息,这些对于正确选择和应用此器件至关重要。
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