MSI3401-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
### MSI3401-VB SOT23封装P-Channel场效应MOS管解析 #### 产品概述 MSI3401-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管(MOSFET),具有低导通电阻、高效率等特点。该器件的主要特性包括: - **工作电压**:最高-30V。 - **最大电流**:连续电流可达-5.6A。 - **导通电阻**:在VGS=-10V时为47mΩ。 - **阈值电压**:Vth=-1V。 此MOSFET适用于移动计算领域,如笔记本适配器开关、负载开关及直流转换器等应用场景。 #### 特性与技术指标 - **TrenchFET®功率MOSFET**:采用先进的TrenchFET技术,提高了功率密度并降低了损耗。 - **全Rg测试**:确保每个产品都经过严格的栅极电阻测试,提高了产品的一致性和可靠性。 - **绝对最大额定值**:这些额定值是为了保护器件免受损坏而设定的最大值,超过这些值可能会导致永久性的损伤。具体包括: - **最大工作温度范围**:-55°C到+150°C。 - **最大漏源电压(VDS)**:-30V。 - **最大栅源电压(VGS)**:±20V。 - **连续漏极电流(ID)**:在不同条件下,其最大值为-5.6A至-5.4A不等。 - **脉冲漏极电流(IDM)**:-18A。 - **最大功耗(PD)**:2.5W至0.8W之间,取决于工作条件。 #### 静态参数 - **漏源击穿电压(VDS)**:当VGS=0V且ID=-250µA时,VDS的最小值为30V。 - **VDS温度系数**:当ID=-250µA时,温度每升高1°C,VDS的变化量为-19mV/°C。 - **阈值电压(VGS(th))温度系数**:未给出具体数值,但通常情况下,随着温度的升高,阈值电压会有所变化。 #### 动态参数 - **栅极电荷(Qg)**:在不同的栅极驱动电压下,栅极电荷的典型值为11.4nC至54nC之间。 #### 热性能 - **结温至环境温度热阻(RthJA)**:当t≤5s时,RthJA的典型值为75°C/W,最大值为100°C/W。 - **结温至脚部热阻(RthJF)**:在稳态条件下,RthJF的典型值为40°C/W,最大值为50°C/W。 #### 封装特点 MSI3401-VB采用了SOT23封装,这种封装形式紧凑且散热性能良好,非常适合于便携式设备中的空间受限应用。SOT23封装的具体引脚配置如下: | 引脚号 | 符号 | 描述 | |--------|------|------| | 1 | G | 栅极 | | 2 | S | 源极 | | 3 | D | 漏极 | #### 应用场景 由于MSI3401-VB具有较低的导通电阻和较高的耐压能力,因此特别适合用于以下应用场景: - **笔记本适配器开关**:作为电源管理的一部分,在适配器中实现高效的电源切换。 - **负载开关**:用于控制电路中的负载,尤其是在需要高效率和小尺寸的应用中。 - **直流转换器**:在DC/DC转换器中作为开关元件,实现高效的能量转换。 #### 总结 MSI3401-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好的散热性能。它适用于多种移动计算领域的应用,如笔记本适配器开关、负载开关及直流转换器等。通过采用先进的TrenchFET技术,该器件能够在有限的空间内提供出色的电气性能,满足了现代电子设备对小型化、高效率的需求。
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