### DMC4028SSD-VB: SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
#### 概述
DMC4028SSD-VB是一款采用SOP8封装的N+P-Channel场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi制造。该产品具有低导通电阻、高可靠性以及宽工作温度范围等特点，适用于多种应用场合，如CCFL逆变器等。
#### 特性与优势
- **无卤素**: 符合IEC 61249-2-21标准，环保设计。
- **TrenchFET®功率MOSFET技术**: 提供卓越的性能和效率。
- **100% Rg 和 UIS 测试**: 确保器件在极端条件下的可靠性和一致性。
#### 应用领域
- **CCFL逆变器**: 用于驱动冷阴极荧光灯（CCFL）的电源转换系统。
- 其他通用电源管理应用，如开关电源、电机控制等。
#### 参数概述
- **工作电压**:
- N-Channel: ±60V
- P-Channel: ±60V
- **最大连续电流**:
- N-Channel: 6.5A
- P-Channel: -5A
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- N-Channel: 28mΩ @ VGS=10V
- N-Channel: 51mΩ @ VGS=20V
- P-Channel: 28mΩ @ VGS=-10V
- P-Channel: 51mΩ @ VGS=-20V
- **阈值电压 (Vth)**: ±1.9V
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压 (VDSS)**: N-Channel/P-Channel均为±60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **连续漏极电流 (ID)**:
- N-Channel: 5.3A @ TJ=150°C, TA=25°C
- P-Channel: -4A @ TJ=150°C, TA=25°C
- **脉冲漏极电流 (IDM)**:
- N-Channel: 20A @ 10µs 脉冲宽度
- P-Channel: -25A @ 10µs 脉冲宽度
- **最大功耗 (PD)**:
- N-Channel: 3.1W @ TA=25°C
- P-Channel: 3.4W @ TA=25°C
- **工作结温 (TJ)**: -55°C 至 150°C
#### 规格参数
- **静态特性**:
- **漏源击穿电压 (VDS)**:
- N-Channel: 60V @ VGS=0V, ID=250µA
- P-Channel: -60V @ VGS=0V, ID=-250µA
- **栅极阈值电压 (VGS(th))**:
- N-Channel: 1.3V @ VDS=VGS, ID=250µA
- P-Channel: -1.9V @ VDS=VGS, ID=-250µA
- **栅源电压温度系数 (ΔVGS(th)/T)**:
- N-Channel: -6mV/°C
- P-Channel: 4mV/°C
- **漏源电压温度系数 (ΔVDS/T)**:
- N-Channel: 55mV/°C
- P-Channel: -50mV/°C
#### 封装与引脚配置
- **SOP8封装**:
- 引脚配置如下:
- N-Channel MOSFET:
- S1: 源极
- G1: 栅极
- D1: 漏极
- P-Channel MOSFET:
- S2: 源极
- G2: 栅极
- D2: 漏极
- **热阻特性**:
- **结至环境热阻 (RthJA)**:
- N-Channel: 55°C/W (典型值)
- P-Channel: 53°C/W (典型值)
- **结至引脚热阻 (RthJF)**:
- N-Channel: 33°C/W (典型值)
- P-Channel: 30°C/W (典型值)
#### 总结
DMC4028SSD-VB是一款高性能的N+P-Channel MOSFET，其采用先进的TrenchFET技术，提供低导通电阻和高可靠性。该产品适合应用于需要高效电源管理的场景中，特别是在CCFL逆变器等领域有着广泛的应用前景。通过以上详细介绍，可以清楚地了解到这款产品的各项关键性能指标和技术特点，为实际应用提供了坚实的技术支持。
