### AP4569GM-VB — N+P-Channel沟道SOP8 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
AP4569GM-VB是一款结合了N+P-Channel沟道的SOP8封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该晶体管的主要特性包括工作电压范围宽广、低导通电阻（RDS(ON)）、高可靠性以及紧凑的尺寸，使其成为多种应用的理想选择。
#### 特性
- **无卤素**：根据IEC 61249-2-21标准制造。
- **TrenchFET®功率MOSFET技术**：提高了效率并减少了开关损耗。
- **100% Rg和UIS测试**：确保了产品的一致性和稳定性。
#### 主要参数
- **工作电压**：
- N-Channel: ±60V
- P-Channel: ±60V
- **连续电流**：
- N-Channel: 6.5A (Tj = 150°C)
- P-Channel: -5A (Tj = 150°C)
- **导通电阻RDS(ON)**：
- N-Channel: 28mΩ (VGS = 10V), 51mΩ (VGS = 20V)
- P-Channel: 未提供具体数值
- **阈值电压Vth**：±1.9V
#### 产品摘要
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 测试条件 |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| VDS (最大工作电压) | VDS | 60V | V | - |
| RDS(on) (导通电阻) | RDS(on) | 5.3Ω (VGS = 10V)<br>0.029Ω (VGS = 4.5V)<br>0.060Ω (VGS = -4.5V) | Ω | - |
| ID (连续电流) | ID | 5.3A (N-Channel)<br>-4A (P-Channel) | A | TJ = 150°C |
| Qg (总栅极电荷) | Qg | 5.36nC (VGS = 10V)<br>4.98nC (VGS = -10V) | nC | - |
#### 应用领域
- **CCFL逆变器**：适用于各种显示背光和照明应用。
- **电源管理**：如开关电源、电池充电管理和DC/DC转换器等。
- **电机控制**：用于小型电机的速度和方向控制。
- **音频放大器**：在高保真音频系统中的应用。
- **其他电子设备**：任何需要高效能功率开关的地方。
#### 绝对最大额定值
| 参数 | 符号 | N-Channel | P-Channel | 单位 |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| 排-源电压 | VD | 60V | -60V | V |
| 栅-源电压 | VG | ±20V | ±20V | V |
| 连续排电流 | ID | 5.3A | -4A | A |
| 脉冲排电流 | IDM | 20A | -25A | A |
| 排源二极管电流 | IS | 2.6A | -2.8A | A |
| 脉冲排源电流 | ISM | 20A | -25A | A |
| 最大耗散功率 | PD | 3.1W | 3.4W | W |
| 工作结温 | TJ | -55°C 至 150°C | -55°C 至 150°C | °C |
#### 静态参数
- **VDS（排-源击穿电压）**：N-Channel为60V，P-Channel为-60V。
- **VGS(th)（栅极阈值电压）**：N-Channel为1V至3V，P-Channel为-1V至-3V。
- **ΔVDS/T（VDS温度系数）**：N-Channel为55mV/°C，P-Channel为-50mV/°C。
- **ΔVGS(th)/T（VGS(th)温度系数）**：N-Channel为-6mV/°C，P-Channel为4mV/°C。
#### 热阻
| 参数 | 符号 | N-Channel | P-Channel | 单位 |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| 结到环境热阻 | Rth(JA) | 55°C/W | 53°C/W | °C/W |
| 结到脚热阻 | Rth(JF) | 33°C/W | 30°C/W | °C/W |
#### 封装信息
- **封装类型**：SO-8
- **引脚编号**：56782341
- **引脚配置**：
- N-Channel MOSFET：D1-G1-S1-S2-G2-D2
- P-Channel MOSFET：D1-D2-S2-G2-S1-G1
#### 结论
AP4569GM-VB是一款高性能的N+P-Channel MOSFET，其出色的电气性能和紧凑的封装使其适用于广泛的电子应用中。通过采用先进的TrenchFET技术，该器件能够在提高系统效率的同时减少整体尺寸，从而满足现代电子设备对于高性能和紧凑设计的需求。无论是用于电源管理、电机控制还是其他需要高效能功率开关的应用，AP4569GM-VB都能提供可靠的解决方案。
