LP3401LT1G-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管

### LP3401LT1G-VB：一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管 #### 概述 LP3401LT1G-VB是一款采用SOT23封装的小型化、高性能P-Channel场效应晶体管（MOSFET）。该器件具备低导通电阻（RDS(on)）特性，适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及直流转换器等应用场合。 #### 特点 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**：通过采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现了更低的导通电阻和更高的效率。 - **100% Rg测试**：确保了所有产品的栅极电阻均经过严格测试，提高了产品的一致性和可靠性。 #### 主要参数 - **最大工作电压**：VDS为-30V - **最大连续电流**：ID为-5.6A - **导通电阻（RDS(on)）**：在VGS=-10V时，RDS(on)为0.046Ω；在VGS=-6V时，RDS(on)为0.049Ω；在VGS=-4.5V时，RDS(on)为0.054Ω。 - **阈值电压（Vth）**：-1V - **输入电荷（Qg）**：11.4nC #### 封装与尺寸 - **封装类型**：SOT23 - **引脚配置**：采用标准SOT23封装，包括三个引脚：源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。 #### 绝对最大额定值 - **最大工作温度范围**：-55℃至150℃ - **最大耗散功率**： - 在环境温度为25℃时，PD为2.5W； - 在环境温度为70℃时，PD为1.6W。 - **最大漏极-源极电压**：VDS为-30V - **最大栅极-源极电压**：VGS为±20V - **最大连续漏极电流**： - 在结温为150℃时，ID为-5.6A； - 在环境温度为25℃时，ID为-5.4A； - 在环境温度为70℃时，ID为-4.3A。 - **最大脉冲漏极电流**：IDM为-18A - **最大连续源极-漏极二极管电流**： - 在环境温度为25℃时，IS为-2.1A； - 在环境温度为25℃时，IS为-1A。 #### 应用场景 - **移动计算设备**：如智能手机和平板电脑中的电源管理模块。 - **笔记本适配器开关**：用于提高能效和延长电池寿命。 - **直流转换器**：实现高效稳定的电压转换功能。 #### 热阻特性 - **最大结到环境热阻**（RthJA）：在脉冲宽度≤5秒的情况下，典型值为75°C/W，最大值为100°C/W。 - **最大结到脚热阻**（RthJF）：稳态条件下，典型值为40°C/W，最大值为50°C/W。 #### 注意事项 - 超出“绝对最大额定值”表中的规定可能会导致器件永久性损坏。 - 这些额定值仅作为应力参考，并不代表在这些条件或其他超出规格的操作条件下能够正常工作。 - 长时间暴露于绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。 #### 结论 LP3401LT1G-VB是一款性能优异的P-Channel场效应MOSFET，通过其低导通电阻和高可靠性设计，在各种移动计算设备中发挥着重要作用。此外，该器件的SOT23封装使得它具有紧凑的外形尺寸，非常适合空间受限的应用场合。无论是作为负载开关还是直流转换器的一部分，LP3401LT1G-VB都能提供出色的性能表现。