IRL2505S-VB一种N沟道TO263封装MOS管
IRL2505S-VB N沟道TO263封装MOS管 IRL2505S-VB是一种N沟道TO263封装MOS管,由VBsemi公司生产。该MOS管具有非常优秀的电气特性,如低温阻抗、低导通电阻和高热阻抗,使其非常适合在高频开关电路和电源管理电路中应用。 功能特点: * TrenchFET® powerMOSFET:该MOS管使用了renchFET技术,使得其具有非常低的温阻抗和导通电阻,提高了其在高频开关电路中的应用价值。 * 低温阻抗:该MOS管的温阻抗非常低,使得其可以在高频开关电路中工作,提高了电路的稳定性和可靠性。 * 高热阻抗:该MOS管的热阻抗非常高,使得其可以在高温环境下工作,提高了电路的可靠性和稳定性。 绝对最大额定值: * 漏极源电压(VDS):60V * 栅极源电压(VGS):±20V * 连续漏极电流(ID):65A * 连续源电流(IS):120A * 脉冲漏极电流(IDM):350A * 单脉冲雪崩电流(IAS):65A * 单脉冲雪崩能量(EAS):211mJ * 最大功率耗散(PD):220W 热阻抗等级: *结温阻抗(RthJA):40°C/W *结壳热阻抗(RthJC):0.65°C/W 产品概要: * VDS:60V * RDS(on):4mΩ(VGS=10V) * IDA:120A * 配置:单通道 应用场景: * 高频开关电路 * 电源管理电路 * 高温环境下的电路应用 技术参数: * 静态漏极源断路电压(VDS):60V * 栅极源阈值电压(VGS(th)):2.0-4.0V * 零栅极电压漏极电流(IDSS):1μA * 导通电阻(RDS(on)):6mΩ(VGS=10V) * 输入电容(Ciss):7000pF * 输出电容(Coss):715pF * 反向传输电容(Crss):360pF * 总栅极电荷(Qg):96145nC * 栅极源电荷(Qgs):-24nC * 栅极漏极电荷(Qgd):-27nC * 栅极电阻(Rg):0.311.7Ω * 启动延迟时间(td(on)):- IRL2505S-VB是一种非常优秀的N沟道TO263封装MOS管,非常适合在高频开关电路和电源管理电路中应用。
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