FDD8880-VB一种N沟道TO252封装MOS管

FDD8880-VB N沟道TO252封装MOS管知识点 概述 FDD8880-VB是一种N沟道TO252封装MOS管，具备高性能和低阻抗特性。该器件适用于OR-ing、服务器和DC/DC等应用中。 特性 * 采用TrenchFET® Power MOSFET技术，具备高效率和低损耗特性 * 100 % Rg and UIS Tested，确保器件的可靠性和稳定性 * 符合RoHS Directive 2011/65/EU环保指令，适用于环保应用 应用 * OR-ing：FDD8880-VB可以用于OR-ing应用中，提供高效率的电源转换和保护 * 服务器：FDD8880-VB可以用于服务器应用中，提供高效率的电源转换和保护 * DC/DC：FDD8880-VB可以用于DC/DC应用中，提供高效率的电源转换和保护 绝对最大额定值 * 排放-源电压（VDS）：30V * 门-源电压（VGS）：±20V * 连续漏电流（ID）：60A（TC = 25°C），25.8A（TC = 70°C） * 脉冲漏电流（IDM）：250A * 源-漏二极管电流（IS）：90A（TC = 25°C），3.13A（TC = 70°C） 热阻抗参数 * 最大结-环境热阻抗（RthJA）：324°C/W * 最大结-案热阻抗（RthJC）：0.5°C/W 热特性 *最大结温（TJ）：175°C *存储温度范围（Tstg）：-55°C to 175°C 其他特性 * 包括Avalanche Current Pulse和Single Pulse Avalanche Energy特性 * 符合RoHS Directive 2011/65/EU环保指令 应用注意事项 * 请勿超过绝对最大额定值，以免损害器件 * 请遵循正确的安装和焊接方式，以确保器件的可靠性和稳定性 结论 FDD8880-VB N沟道TO252封装MOS管是一种高性能和低阻抗的器件，适用于OR-ing、服务器和DC/DC等应用中。该器件具备高效率和低损耗特性，符合RoHS Directive 2011/65/EU环保指令。