FDD3672-VB一种N沟道TO252封装MOS管

**FDD3672-VB N沟道MOSFET概述** FDD3672-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO252封装，由VBsemi公司生产。这款器件的主要特点包括TrenchFET®技术的功率MOSFET设计，能够承受高达175°C的结温，以及低热阻封装，这使得它在高温环境下的性能表现优秀。 **主要特性** 1. **TrenchFET®技术** - 这种技术采用沟槽结构，通过减小通道区域的电阻来提高MOSFET的开关速度和效率，同时降低导通电阻，从而减少功耗和发热。 2. **耐高温** - 允许的最大结温为175°C，使得该MOSFET适用于需要高耐热性的应用。 3. **低热阻封装** - TO252封装设计具有较低的热阻，RthJC（结到壳热阻）仅为1.4°C/W，有助于快速散热，保持良好的热管理。 4. **参数规格** - FDD3672-VB的关键电气参数包括100V的额定漏源电压V(DSS)，在VGS = 10V时的导通电阻rDS(on)为0.030Ω，而在VGS = 4.5V时的导通电阻为0.040Ω。此外，它能提供高达40A的连续漏极电流ID（在TJ = 175°C时），以及120A的脉冲漏极电流IDM。 **绝对最大额定值** - **漏源电压** - VDS的最大值为100V，以防止设备损坏。 - **栅源电压** - VGS的极限值为±20V，超过这个范围可能会导致MOSFET的永久性损坏。 - **连续漏极电流** - 在TJ = 175°C下，最大连续漏极电流ID为40A；在TJ = 125°C下，为23A。 - **脉冲漏极电流** - IDM的最大值为120A。 - **反复雪崩能量** - 在特定条件下，最大可承受的重复雪崩能量为61mJ。 **热性能** - **结到环境热阻** - RthJA为40°C/W，表明器件从结到周围环境的热传递能力。 - **结到壳热阻** - RthJC为1.4°C/W，表示从结到封装外壳的热阻。 - **最大功率损耗** - 在TC = 25°C时，最大功率损耗PD为107W，而在TC = 125°C时，为3.75W。 **操作注意事项** - **安全工作区(SOA)** - 应遵循SOA曲线进行电压降额，确保器件在安全区域内工作。 - **环保标准** - 提供的TO-252封装符合RoHS标准，除非特别说明，某些铅含有终端可能不完全符合RoHS要求。 **规格参数** 在TJ = 25°C的条件下，静态参数如漏源击穿电压V(BR)DSS为100V，栅阈值电压VGS(th)约为13V，栅极-体漏电流IGSS小于100nA，零栅压漏电流IDSS在VDS = 100V和VGS = 0V时不超过1μA，在更高温度下（如TJ = 125°C）则不超过50μA。 **应用领域** FDD3672-VB适用于需要高效率、低损耗和良好热管理的电源转换系统，如开关电源、电机驱动、负载开关以及需要大电流控制的各种电子设备。由于其耐高温特性，特别适合于工业和汽车电子领域。