2SK4212A-ZK-E1-AY-VB一种N沟道TO252封装MOS管

2SK4212A-ZK-E1-AY-VB是一种N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于电源管理、OR-ing和服务器应用。这种MOSFET的特点是采用了TrenchFET技术，提高了功率密度和效率，并且已经通过了100%的Rg和UIS测试，符合RoHS指令2011/65/EU的环保要求。 关键规格包括： 1. **耐压与内阻**：该MOSFET的额定Drain-Source电压VDS为30V，即它可以在30V的电压下正常工作。其漏源导通电阻RDS(on)在VGS = 10V时典型值为0.005欧姆，在VGS = 4.5V时为0.006欧姆，这意味着在特定条件下，MOSFET的内部电阻非常低，有助于降低导通损耗。 2. **电流能力**：连续漏极电流ID在TJ = 175°C时的最大值为25.8A，而脉冲漏极电流IDM高达250A，这表明它能处理高瞬态电流负载。 3. **热特性**：最大结到壳体热阻RthJC为0.5至0.668°C/W，意味着在散热条件良好的情况下，每瓦功率产生的温度上升在0.5到0.668°C之间。最大结到环境热阻RthJA为3240°C/W，这决定了器件在周围环境温度较高时的散热能力。 4. **能量承受能力**：单脉冲雪崩能量EAS为94.8mJ，表明该MOSFET能够在设计允许的极限条件下承受一定的过载能量而不损坏。 5. **工作温度范围**：操作结温及存储温度范围为-55°C到175°C，保证了器件在宽温范围内稳定工作。 6. **安全工作区**：绝对最大额定值考虑到器件的安全操作，如Drain-Source电压、Gate-Source电压和连续漏极电流等，超出了这些限制可能会导致器件永久损坏。 该MOSFET的设计和制造考虑了可靠性，部分参数（如RDS(on)）是通过设计保证的，不需生产测试。同时，用户需要注意，尽管给出了绝对最大额定值，但长时间工作在这些极限条件下可能会影响器件的可靠性。 2SK4212A-ZK-E1-AY-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、低内阻和大电流处理能力的应用场景，例如电源切换、电池管理系统和大电流负载开关。用户在使用时应确保不超过其规格限制，并考虑适当的散热措施以保证长期稳定性。