《NCE40P40K-VB MOSFET产品详解及应用》
NCE40P40K是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由VBsemi公司生产,其设计和制造工艺采用了先进的TrenchFET技术,以实现更低的热阻和更高的效率。这款MOSFET适用于需要高效能、低损耗的电路应用。
产品主要特点:
1. TrenchFET技术:通过采用沟槽结构,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而提高了电流通过时的能量转换效率。
2. 低热阻封装:该器件封装方式确保了低的热阻,有利于散热,保证了在大电流工作条件下的稳定性和可靠性。
3. 严格测试:100%的Rg(栅极电荷)和UIS(雪崩耐受能力)测试,确保了产品的质量和耐用性。
关键参数:
- RDS(on):在VGS = -10V时,导通电阻为10mΩ;在VGS = -4.5V时,导通电阻为13mΩ。这表明在较低的栅极电压下,NCE40P40K仍能保持较低的导通电阻,有利于减小功耗。
- VDS:最大额定漏源电压为-40V,可承受较高的电压波动。
- ID/IS:连续漏极电流/源极电流分别为-50A和-50A,适用于大电流操作场景。
- VGS(th):门极阈值电压为-1.5V至-2.5V,决定了MOSFET开始导通的最小栅极电压。
绝对最大额定值:
- VDS:-40V,超过此值可能会导致器件损坏。
- VGS:±20V,确保栅极电压在安全范围内。
- ID:-50A持续,-200A脉冲,体现了器件的瞬态电流处理能力。
- TJ/Tstg:工作和存储温度范围为-55℃至+175℃。
热特性:
- RthJA:结壳至环境的热阻为50°C/W,表明器件在PCB上安装时的散热性能。
- RthJC:结壳至壳体的热阻为1.1°C/W,反映了器件内部热量传递到外壳的效率。
规格参数:
- VDS Breakdown Voltage:在VGS = 0V,ID = -250μA时,漏源击穿电压为-40V以上。
- Gate-Source Threshold Voltage:门极阈值电压的范围保证了器件在设计时的精确控制。
- Gate-Source Leakage:零栅压时的漏极电流IGSS极小,表明低静态泄漏。
总结:
NCE40P40K-VB MOSFET是一款适用于高功率、低损耗应用的P沟道MOSFET,其优秀的电气特性和低热阻封装设计使其成为电力电子、开关电源、马达驱动等领域的理想选择。用户在实际应用中,应确保操作条件符合其绝对最大额定值,以确保器件的长期可靠性和寿命。如需更多详细信息,可访问VBsemi官网或联系客户服务热线400-655-8788获取NCE40P40K-VB的数据手册。