TM6968EGC-VB一款SOP8封装2个N-Channel场效应MOS管

### TM6968EGC-VB：一款SOP8封装双通道N-Channel场效应MOS管 #### 概述 TM6968EGC-VB是一款采用SOP8封装的双通道N-Channel场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi制造。该器件具有两个独立的N-Channel沟道，每个沟道的最大工作电压为60V，连续电流能力为7A。其低导通电阻（RDS(on)）在VGS=10V时为27mΩ，这使得它非常适合于各种高效率电源转换应用。 #### 特点与优势 - **TrenchFET®功率MOSFET技术**：通过先进的沟槽栅极技术提高了开关性能，减少了开关损耗。 - **严格的测试标准**：100%经过Rg（栅极电阻）和UIS（Unclamped Inductive Switching）测试，确保了器件的可靠性和稳定性。 - **高工作温度范围**：能够承受-55℃至+175℃的宽泛工作温度范围，适用于恶劣环境下的应用。 - **紧凑的SOP8封装**：便于PCB布局设计，降低了整体系统成本。 #### 参数概述 - **最大额定值**： - **漏源电压** (VDS)：60V - **栅源电压** (VGS)：±20V - **连续漏极电流** (ID) @25°C：7A - **连续源极电流** (IS) @25°C：3.6A - **脉冲漏极电流** (IDM)：28A - **单脉冲雪崩电流** (IAS)：0.1mA - **单脉冲雪崩能量** (EAS)：16.2mJ - **最大功耗** @25°C (PD)：4W - **最大功耗** @125°C (PD)：1.3W - **工作温度范围** (TJ)：-55℃至+175℃ - **热阻参数**： - **结到环境的热阻** (RthJA)：110°C/W - **结到脚（漏极）的热阻** (RthJF)：34°C/W - **静态特性**： - **漏源击穿电压** (VDS)：最小60V - **栅源阈值电压** (VGS(th))：1.5V~2.5V - **栅源漏电流** (IGSS)：±100nA - **零栅压漏电流** (IDSS)：≤1μA @TJ=125°C；≤150μA @TJ=175°C - **导通状态漏极电流** (ID(on))：5A~20A - **导通状态漏源电阻** (RDS(on))：在VGS=10V，ID=4.5A时，典型值为27mΩ；在VGS=10V，ID=4.5A，TJ=125°C时，最大值为66mΩ；在VGS=10V，ID=4.5A，TJ=175°C时，最大值为81mΩ；在VGS=4.5V，ID=4A时，典型值为30mΩ - **正向跨导** (gfs)：15S #### 应用场景 由于其高性能特点，TM6968EGC-VB特别适合用于以下领域： - **电源管理**：如开关电源、DC/DC转换器等。 - **电机控制**：可用于驱动电机，如伺服电机或步进电机。 - **负载开关**：用于控制电源路径，特别是在电池供电的应用中。 - **过流保护**：作为电子保险丝，在过载情况下提供保护。 #### 封装与尺寸 - **封装类型**：SOP8 - **引脚排列**：参照数据手册中的图表，可以看出每个MOSFET具有独立的源极(S)、栅极(G)和漏极(D)引脚。 #### 使用注意事项 - 在使用过程中，应确保不超过绝对最大额定值，以免损坏器件。 - 对于长时间运行的应用，建议留有一定的裕量来避免过热。 - 在进行PCB布局时，应注意散热设计，尤其是在高功率应用中。 TM6968EGC-VB凭借其出色的性能参数和可靠性，成为了许多电子工程师的理想选择，尤其是在需要高效能、高可靠性的电源管理解决方案中。