TM6968EGC-VB一款SOP8封装2个N-Channel场效应MOS管
### TM6968EGC-VB:一款SOP8封装双通道N-Channel场效应MOS管 #### 概述 TM6968EGC-VB是一款采用SOP8封装的双通道N-Channel场效应晶体管(MOSFET),由VBsemi制造。该器件具有两个独立的N-Channel沟道,每个沟道的最大工作电压为60V,连续电流能力为7A。其低导通电阻(RDS(on))在VGS=10V时为27mΩ,这使得它非常适合于各种高效率电源转换应用。 #### 特点与优势 - **TrenchFET®功率MOSFET技术**:通过先进的沟槽栅极技术提高了开关性能,减少了开关损耗。 - **严格的测试标准**:100%经过Rg(栅极电阻)和UIS(Unclamped Inductive Switching)测试,确保了器件的可靠性和稳定性。 - **高工作温度范围**:能够承受-55℃至+175℃的宽泛工作温度范围,适用于恶劣环境下的应用。 - **紧凑的SOP8封装**:便于PCB布局设计,降低了整体系统成本。 #### 参数概述 - **最大额定值**: - **漏源电压** (VDS):60V - **栅源电压** (VGS):±20V - **连续漏极电流** (ID) @25°C:7A - **连续源极电流** (IS) @25°C:3.6A - **脉冲漏极电流** (IDM):28A - **单脉冲雪崩电流** (IAS):0.1mA - **单脉冲雪崩能量** (EAS):16.2mJ - **最大功耗** @25°C (PD):4W - **最大功耗** @125°C (PD):1.3W - **工作温度范围** (TJ):-55℃至+175℃ - **热阻参数**: - **结到环境的热阻** (RthJA):110°C/W - **结到脚(漏极)的热阻** (RthJF):34°C/W - **静态特性**: - **漏源击穿电压** (VDS):最小60V - **栅源阈值电压** (VGS(th)):1.5V~2.5V - **栅源漏电流** (IGSS):±100nA - **零栅压漏电流** (IDSS):≤1μA @TJ=125°C;≤150μA @TJ=175°C - **导通状态漏极电流** (ID(on)):5A~20A - **导通状态漏源电阻** (RDS(on)):在VGS=10V,ID=4.5A时,典型值为27mΩ;在VGS=10V,ID=4.5A,TJ=125°C时,最大值为66mΩ;在VGS=10V,ID=4.5A,TJ=175°C时,最大值为81mΩ;在VGS=4.5V,ID=4A时,典型值为30mΩ - **正向跨导** (gfs):15S #### 应用场景 由于其高性能特点,TM6968EGC-VB特别适合用于以下领域: - **电源管理**:如开关电源、DC/DC转换器等。 - **电机控制**:可用于驱动电机,如伺服电机或步进电机。 - **负载开关**:用于控制电源路径,特别是在电池供电的应用中。 - **过流保护**:作为电子保险丝,在过载情况下提供保护。 #### 封装与尺寸 - **封装类型**:SOP8 - **引脚排列**:参照数据手册中的图表,可以看出每个MOSFET具有独立的源极(S)、栅极(G)和漏极(D)引脚。 #### 使用注意事项 - 在使用过程中,应确保不超过绝对最大额定值,以免损坏器件。 - 对于长时间运行的应用,建议留有一定的裕量来避免过热。 - 在进行PCB布局时,应注意散热设计,尤其是在高功率应用中。 TM6968EGC-VB凭借其出色的性能参数和可靠性,成为了许多电子工程师的理想选择,尤其是在需要高效能、高可靠性的电源管理解决方案中。
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