12P10L-TM3-T-VB；Package：TO251；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=234mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=215mΩ@VGS=10V；ID：-12A；Technology：Trench；
### 12P10L-TM3-T-VB: P-Channel Trench MOSFET技术解析
#### 基本概述
12P10L-TM3-T-VB是一款P-Channel沟道TO251封装MOS管，其主要特性包括：单个P-Channel配置、最大工作电压(VDS)为-100V、最大栅极-源极电压(VGS)为±20V、阈值电压(Vth)为-2V、在不同栅极驱动电压下的导通电阻(RDS(ON))分别为234mΩ (VGS=4.5V) 和215mΩ (VGS=10V)，以及最大连续电流(ID)为-12A。
#### 技术特点
- **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义，该器件采用无卤素材料，符合环保要求。
- **TrenchFET®技术**：采用了先进的Trench MOSFET结构，能够提供更低的导通电阻和更高效的性能。
- **严格测试**：所有产品均经过100% Rg和UIS测试，确保了高质量和可靠性。
- **RoHS合规**：完全符合RoHS指令2002/95/EC的要求，不含铅等有害物质。
#### 应用领域
- **电源开关**：适用于各种电子设备中的电源控制与转换应用。
- **DC/DC转换器**：广泛应用于汽车电子、通信系统以及其他需要高效能量转换的场合。
#### 参数详解
- **静态参数**
- **VDS（漏-源击穿电压）**：在VDS = 0V时，当ID为-250µA时，VDS的最大值为-100V。
- **VGS(th)（栅-源阈值电压）**：当VDS等于VGS且ID为-250µA时，VGS(th)范围是-1V到-2.5V。
- **IGSS（栅-体漏电流）**：在VDS = 0V时，当VGS等于±20V时，IGSS的典型值为±250nA。
- **IDSS（零栅压漏电流）**：在VDS = -100V时，当VGS为0时，IDSS的典型值未给出。
- **动态参数**
- **RDS(ON)（导通电阻）**：当VGS为4.5V时，RDS(ON)的典型值为234mΩ；当VGS为10V时，RDS(ON)的典型值为215mΩ。
- **绝对最大额定值**
- **VD（漏-源电压）**：最大值为-100V。
- **VG（栅-源电压）**：最大值为±20V。
- **ID（连续漏极电流）**：在TJ = 150°C时，最大值为-12A；在TJ = 70°C时，最大值为-8A。
- **IP（脉冲漏极电流）**：最大值为-30A。
- **IA（雪崩电流）**：最大值为-20A。
- **EL（单次雪崩能量）**：当EL = 0.1mH时，最大值为16.2J。
- **PD（最大耗散功率）**：最大值为32.1W。
- **TA（环境温度）**：最大值为25°C。
- **TJ（结温）**：最大值为150°C。
- **TO（存储温度范围）**：范围为-55°C至150°C。
- **热阻参数**
- **RthJA（结到环境热阻）**：典型值为50°C/W。
- **RthJC（结到壳热阻）**：典型值为3.9°C/W。
#### 封装规格
该MOSFET采用TO251封装形式，适用于PCB安装。其顶部视图可在产品数据表中查看。
#### 结论
12P10L-TM3-T-VB作为一款高性能的P-Channel Trench MOSFET，具备低导通电阻、高可靠性和良好的热性能等特点，适用于多种电源管理应用场景。通过了解其技术参数和特性，可以更好地利用这款器件来设计高效、稳定的电子系统。
