### SI2318BDS-T1-GE3-VB N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 一、产品概述
SI2318BDS-T1-GE3-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），该产品具有以下特点：
- **无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义。
- **TrenchFET® 功率MOSFET技术**：采用先进的TrenchFET技术，提高了开关性能和效率。
- **Rg测试**：所有产品均经过100% Rg测试，确保了高可靠性和一致性。
- **符合RoHS指令**：符合2002/95/EC RoHS指令要求。
#### 二、关键参数
##### 静态参数
- **Drain-Source Breakdown Voltage (VDS)**：当VGS为0V时，ID为250μA，VDS最小值为30V。
- **VDS Temperature Coefficient (ΔVDS/TJ)**：在ID为250μA的情况下，温度系数为31mV/°C。
- **VGS(th) Temperature Coefficient (ΔVGS(th)/TJ)**：阈值电压VGS(th)随温度变化的系数，数据未完全给出。
##### 动态参数
- **RDS(on)（导通电阻）**：
- 当VGS=10V时，RDS(on)为0.030Ω。
- 当VGS=4.5V时，RDS(on)为0.033Ω。
- **ID（连续漏极电流）**：
- 在TC=25°C时，ID最大值为6.5A。
- 在TC=70°C时，ID最大值为5.0A。
- **Gate Charge (Qg)**：典型值为4.5nC。
##### 其他参数
- **最大功率耗散**：
- 在TC=25°C时，PD最大值为1.7W。
- 在TC=70°C时，PD最大值为1.1W。
- **工作结温范围**：-55°C至150°C。
#### 三、应用领域
SI2318BDS-T1-GE3-VB主要应用于DC/DC转换器等电力电子设备中，其高效率和低损耗特性使其成为高频开关电源的理想选择。
#### 四、绝对最大额定值
- **Drain-Source Voltage (VDS)**：最大值为30V。
- **Gate-Source Voltage (VGS)**：最大值为±20V。
- **连续漏极电流 (ID)**：
- 在TC=25°C时，最大值为6.5A。
- 在TC=70°C时，最大值为5.0A。
- **脉冲漏极电流 (IDM)**：最大值为25A。
- **最大功率耗散 (PD)**：
- 在TC=25°C时，最大值为1.7W。
- 在TC=70°C时，最大值为1.1W。
#### 五、热阻参数
- **最大结到环境的热阻 (RthJA)**：
- 在t≤5s的情况下，典型值为90°C/W，最大值为115°C/W。
- **最大结到脚的热阻 (RthJF)**：
- 稳态情况下，典型值为60°C/W，最大值为75°C/W。
#### 六、焊接建议
- **峰值温度**：推荐峰值温度为260°C。
#### 七、注意事项
- 超过“绝对最大额定值”的应力可能会导致器件永久损坏。
- 这些额定值仅作为应力参考，不表示在这些条件或超出规格表中操作部分所指示的任何其他条件下，器件都能正常工作。
- 长时间暴露于绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
SI2318BDS-T1-GE3-VB是一款高性能的N-Channel沟道SOT23封装MOSFET，适用于各种DC/DC转换器和其他电力电子应用。它具备良好的热性能、高可靠性和出色的电气性能，是设计高效电力转换系统时的理想选择。
