BSS84ZL-AE2-R-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### BSS84ZL-AE2-R-VB 晶体管参数介绍与应用说明 #### 一、产品概述 BSS84ZL-AE2-R-VB是一款P-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管。这款晶体管具有多种特性,包括无卤素设计符合IEC 61249-2-21标准定义、TrenchFET®技术、高侧开关功能、低导通电阻以及快速切换速度等。这些特性使得该晶体管适用于各种电子设备和电路设计。 #### 二、关键特性详解 ##### 1. **无卤素设计** - **定义**:根据IEC 61249-2-21标准,该晶体管采用无卤素材料,减少对环境的影响。 - **优点**:更环保,符合欧盟RoHS指令2002/95/EC。 ##### 2. **TrenchFET®技术** - **定义**:TrenchFET®是一种先进的功率MOSFET技术,通过在半导体表面形成沟槽来提高性能。 - **优点**:降低导通电阻(RDS(ON)),提高效率,减少发热。 ##### 3. **高侧开关功能** - **定义**:该晶体管能够在电源电压较高的一侧工作,适合于需要控制电源电压的应用场景。 - **优点**:扩展了适用范围,增加了灵活性。 ##### 4. **低导通电阻(RDS(ON))** - **数值**:3Ω(典型值) - **定义**:在特定条件下,晶体管导通时源极到漏极之间的电阻。 - **优点**:减少功耗,提高效率。 ##### 5. **低阈值电压(VGS(th))** - **数值**:-1.87V(典型值) - **定义**:启动晶体管所需的最小门极电压。 - **优点**:易于驱动,可以使用较低电压的逻辑电路控制。 ##### 6. **快速切换速度** - **数值**:20ns(典型值) - **定义**:晶体管从完全导通到完全关闭所需的时间。 - **优点**:提高整体电路的工作频率,减少开关损耗。 ##### 7. **低输入电容** - **数值**:20pF(典型值) - **定义**:晶体管在不同状态下的电容特性。 - **优点**:减少信号延迟,提高频率响应。 #### 三、绝对最大额定值 晶体管的绝对最大额定值规定了其能够承受的最大工作条件。超出这些限制可能会导致永久性损坏。以下是BSS84ZL-AE2-R-VB的主要绝对最大额定值: ##### 1. **最高工作温度** - **数值**:+150℃ - **定义**:晶体管能够正常工作的最高温度。 - **注意事项**:确保散热良好以避免过热。 ##### 2. **最低工作温度** - **数值**:-55℃ - **定义**:晶体管能够正常工作的最低温度。 - **注意事项**:低温下可能会影响性能,请确保环境适宜。 ##### 3. **最大漏极-源极电压** - **数值**:-60V - **定义**:晶体管能够承受的最大漏极-源极电压。 - **注意事项**:超过此电压可能引起击穿或损坏。 ##### 4. **最大连续漏极电流** - **数值**:-500mA(TA=25℃) - **定义**:晶体管能够连续承载的最大漏极电流。 - **注意事项**:考虑温升问题,合理设计散热方案。 ##### 5. **最大脉冲漏极电流** - **数值**:-1500mA(TA=25℃) - **定义**:在短时间脉冲下,晶体管能够承载的最大漏极电流。 - **注意事项**:脉冲宽度受限于最大结温。 #### 四、主要电气参数 以下是一些关键的电气参数: ##### 1. **静态参数** - **漏极-源极击穿电压(VDS)**:-60V - **测试条件**:VGS=0V,ID=-10μA - **阈值电压(VGS(th))**:-1至-3V - **测试条件**:VDS=VGS,ID=250μA - **零门极电压漏极电流(IDSS)**:- 60V,VGS=0V - **测试条件**:VDS=-60V,VGS=0V ##### 2. **动态参数** - **导通电阻(RDS(ON))**:3Ω - **测试条件**:VGS=-10V - **栅极-体泄漏电流(IGSS)**:±10μA - **测试条件**:VDS=0V,VGS=±20V #### 五、应用场景 BSS84ZL-AE2-R-VB由于其优良的特性,在多个领域都有广泛的应用,包括但不限于: - **电源管理**:用于电池保护电路、稳压器和开关电源。 - **电机控制**:适用于直流电机驱动、伺服电机控制等。 - **信号放大**:可用于音频放大器、传感器信号处理等领域。 - **保护电路**:适用于过载保护、短路保护等场合。 BSS84ZL-AE2-R-VB是一款高性能的P-Channel沟道MOSFET晶体管,通过其独特的设计和技术特性,为用户提供了一个高效、可靠的解决方案,适用于多种电子设备和电路设计中。
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