BSS308PE-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

**BSS308PE-VB MOSFET详解** BSS308PE-VB是一款采用SOT23封装的P沟道MOSFET，适用于移动计算设备，如笔记本适配器开关、直流到直流转换器等应用场景。其主要特点在于采用了TrenchFET技术，这种技术使得MOSFET在小型封装下也能实现良好的性能。 **关键参数及特性** 1. **额定电压（VDS）**：这款MOSFET的最大额定漏源电压为-30V，这意味着它能够承受的电压从源极到漏极最大为30V。 2. **导通电阻（RDS(on)）**：在不同的栅源电压下，BSS308PE-VB的导通电阻有所不同。在VGS = -10V时，RDS(on)典型值为47mΩ；在VGS = -4.5V时，RDS(on)上升至56mΩ。低的导通电阻意味着在导通状态下的功率损失小，效率高。 3. **连续漏电流（ID）**：在不同温度下，连续漏电流也有所不同。在25°C时，ID最大为-5.6A；70°C时，ID降至-5.1A。这是MOSFET在正常工作条件下的最大持续电流。 4. **栅源电压（VGS）**：BSS308PE-VB的栅源电压范围为±20V，-1Vth表示开启电压较低，这有助于降低开关损耗并提高效率。 5. **电荷（Qg）**：电荷Qg是门极到漏极充电的总量，影响开关速度。在VGS = -10V时，Qg典型值为11.4nC；在VGS = -6V时，Qg为54nC；在VGS = -4.5V时，Qg为49nC。较小的Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。 6. **热特性**：最大结到外壳的热阻RthJA在25°C时为75°C/W，这决定了MOSFET在散热条件下的稳定工作能力。而最大结到脚的热阻RthJF在稳态条件下为40°C/W。 **绝对最大额定值** - **漏源电压（VDS）**：-30V，超过这个值可能导致器件损坏。 - **连续漏电流（ID）**：在150°C结温下，ID的最大值为-5.6A。 - **脉冲漏电流（IDM）**：100微秒脉冲宽度下，IDM的最大值为-18A。 - **连续源漏二极管电流（IS）**：在25°C时，IS的最大值为-2.1A。 - **最大功率耗散（PD）**：在不同温度下，PD的最大值分别为2.5W（25°C）、1.6W（70°C）和1.25W（25°C，b/c条件），0.8W（70°C，b/c条件）。 **功能操作和注意事项** - 功能操作的条件不包括绝对最大额定值。长时间处于绝对最大额定条件可能影响设备的可靠性。 - 参数如VDS和VGS(th)的温度系数，表明随着温度变化，这些参数会有一定的波动。 BSS308PE-VB是一款适用于低电压、高效率电源管理的应用，其特性如低导通电阻、快速开关和紧凑的封装尺寸使其在便携式电子设备中尤为适用。在设计电路时，确保工作条件在上述规格范围内，以保证MOSFET的可靠性和性能。