HAT1025R-VB一款SOP8封装2个P-Channel场效应MOS管
### HAT1025R-VB:一款SOP8封装双P-Channel场效应MOS管 #### 概述 HAT1025R-VB是一款采用SOP8封装的双P-Channel沟道场效应晶体管(MOSFET),由VBsemi制造。该器件具有两个独立的P-Channel MOSFET,每个MOSFET的最大工作电压为-30V,最大连续电流为-7A,并且在VGS=10V时的导通电阻RDS(ON)为35mΩ,在VGS=20V时的导通电阻更低。此外,该器件的阈值电压Vth为-1.5V。 #### 特性 - **无卤素设计**:符合环保标准。 - **TrenchFET®技术**:采用先进的TrenchFET技术,提高了功率密度并降低了损耗。 - **UIS测试**:所有器件都经过100%的UI(Unclamped Inductive Switching)测试,确保了在实际应用中的可靠性和耐用性。 #### 应用场景 - **负载开关**:适用于各种电源管理应用中的负载开关功能,如便携式电子设备、服务器电源等。 - **其他应用场景**:还可用于电池管理系统、电机控制电路等需要高效、低损耗开关的应用。 #### 技术参数详解 ##### 绝对最大额定值 - **V_Drain-Source (VDS)**:-30V — 这表示器件能够承受的最大源极至漏极电压差。 - **V_Gate-Source (VGS)**:±20V — 门极与源极之间的电压范围。 - **连续漏极电流 (ID)**: - 在结温TJ=150°C时,连续漏极电流为-7.3A。 - 在环境温度TA=25°C时,连续漏极电流为-7.0A。 - 在环境温度TA=70°C时,连续漏极电流为-5.9A。 - **脉冲漏极电流 (IP)**:取决于具体条件。 - **连续源极-漏极二极管电流 (IS)**:-4.1A至-2.0A之间,取决于环境温度。 - **雪崩电流 (IA)**:-20A — 在负载电感为0.1mH的情况下。 - **单脉冲雪崩能量 (EA)**:20mJ — 在结温TJ=25°C时。 ##### 静态参数 - **导通电阻 RDS(ON) (Ω)**: - 在VGS=-10V时,RDS(ON)为0.035Ω。 - 在VGS=-4.5V时,RDS(ON)为0.045Ω。 - **栅极电荷 Qg (nC)**: - 在VGS=-10V时,Qg为17nC。 - 在VGS=-4.5V时,Qg为3nC。 ##### 其他重要参数 - **阈值电压 Vth (V)**:-1.5V — 表示开启MOSFET所需的最小源极与栅极电压差。 - **最大功耗 PD (W)**: - 在TA=25°C时,最大功耗为5.0W。 - 在TA=70°C时,最大功耗为2.5W。 - **结温 TJ (°C)**:-55°C至150°C — 表示MOSFET能够在该范围内正常工作。 ##### 热阻特性 - **结到外壳的热阻 RthJA (°C/W)**:38-50°C/W — 反映了器件在工作过程中热量从结传递到周围环境的能力。 - **结到引脚的热阻 RthJF (°C/W)**:20-25°C/W — 描述了热量从结传递到器件引脚的能力。 #### 封装与外形 - **封装类型**:SO-8。 - **引脚排列**:S1G1D1,P-Channel MOSFET S2G2D2,P-Channel MOSFET。 - **顶部视图**:标号从1到8,按逆时针方向排列。 #### 注意事项 - 使用时应避免超过“绝对最大额定值”,否则可能导致永久性损坏。 - 设计时需考虑器件的热管理问题,确保不会超过最大功耗和结温限制。 - 在特定应用条件下,某些参数可能需要通过进一步测试来确认。 HAT1025R-VB是一款高性能的双P-Channel MOSFET,适用于多种电源管理和控制应用。其出色的电气性能、可靠的结构以及宽广的工作温度范围使其成为许多工业和消费电子产品中不可或缺的元件。
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