IRF644SPBF-VB场效应管一款N沟道TO263封装的晶体管

IRF644SPBF-VB是一款N沟道功率MOSFET，它采用TO-263封装，适用于需要高效能和高速切换的应用。这款晶体管具备多种特性，使其在电子设备中表现出色。 IRF644SPBF-VB具有动态dV/dt评级，这意味着它能够在快速电压变化的环境中稳定工作，不会因过大的电压上升率而损坏。这种能力对于需要高速开关操作的电路来说非常重要，如电源管理、电机控制和开关电源等。 这款MOSFET是重复雪崩额定的，意味着它可以承受一定的电流脉冲，而不会造成永久性损伤。这使得IRF644SPBF-VB在短路保护和过载条件下的稳定性得到提升。 IRF644SPBF-VB的栅极源电压(VGS)为10V时，其漏源导通电阻(RDS(on))仅为0.23欧姆，这表明在低电压下，它能够提供非常低的导通电阻，从而在高电流应用中实现低损耗和高效率。 在电气参数方面，IRF644SPBF-VB的最大连续漏源电流(ID)在25°C时为16A，而在100°C时为9.5A，说明其在高温环境下的性能表现依然良好。此外，其峰值脉冲漏源电流(IDM)高达56A，允许在短时间内处理较大的瞬时电流。 对于热性能，这款MOSFET的最大结壳热阻(RthJC)为1.0°C/W，最大结温(TJ)为150°C，最大功率耗散(PD)在25°C时为125W。这些数值意味着在正常工作条件下，IRF644SPBF-VB可以有效地散热，保持良好的热稳定性。 在安全操作范围内，IRF644SPBF-VB的栅源电压(VGS)允许在±20V之间，而最大漏源电压(VDS)为250V。此外，其门极电荷(Qg)、栅极源电荷(Qgs)和栅极漏电荷(Qgd)分别为68nC、11nC和35nC，这些值影响开关速度和功耗。 在实际应用中，需要注意的是，重复雪崩能量(EAR)和单脉冲雪崩能量(EAS)应不超过13mJ和550mJ，以防止晶体管损坏。同时，器件的最大峰峰di/dt（电压变化率）为4.8V/ns，确保了在快速开关过程中的稳定性。 IRF644SPBF-VB适用于需要简单驱动要求的场合，易于并联使用，简化了电路设计。其制造商VBsemi提供了详细的技术支持和服务热线，方便用户获取更多关于产品信息和解决问题。 IRF644SPBF-VB是一款高性能、耐高温、易于驱动的N沟道MOSFET，适合在需要高速切换和高电流处理能力的电子系统中使用。其优秀的热管理和电气特性确保了在各种工况下的可靠性和效率。