### 2309N-VB — P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
2309N-VB是一款P-Channel沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOT23封装形式。该晶体管的主要特性包括最大额定值为-30V的漏源电压（VDS）、最大持续漏极电流为-5.6A（ID）以及在VGS为10V时的导通电阻（RDS(ON)）为47毫欧姆。此外，其阈值电压（Vth）为-1V。本文将详细介绍这款晶体管的关键参数和技术规格，并探讨其应用场景。
#### 主要特性
- **TrenchFET® Power MOSFET**：采用先进的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻，提高了效率。
- **100% Rg 测试**：确保每个器件的栅极电阻得到严格测试，保证了产品的可靠性。
#### 应用领域
- **移动计算**
- 负载开关：用于控制电源流向负载电路。
- 笔记本适配器开关：用于管理笔记本电脑充电器的电源管理。
- DC/DC转换器：用于实现不同电压等级之间的转换，广泛应用于便携式设备的电源管理系统中。
#### 技术规格
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---------------------------|-------|------|------|------|-----|
| 漏源电压 | VDS | | -30 | | V |
| 导通电阻（VGS = -10V） | RDS(ON)| | 0.046| | Ω |
| 持续漏极电流（TJ = 150°C） | ID | | -5.6 | | A |
| 栅极电荷（VGS = -10V） | Qg | | 11.4 | | nC |
#### 绝对最大额定值
| 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---------------------------------|-------|------|-----|
| 漏源电压 | VDS | -30 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 持续漏极电流（结温150°C） | ID | -5.6 | A |
| 脉冲漏极电流（脉宽100µs） | IDM | -18 | A |
| 连续源漏二极管电流（结温25°C） | IS | -2.1 | A |
| 最大功耗（结温25°C） | PD | 2.5 | W |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 150 | °C |
| 最大结到环境热阻 | RthJA | 75 | °C/W |
#### 静态参数
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---------------------------|-------|--------|------|------|------|-----|
| 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0V, ID = -250µA | | -30 | | V |
| 漏源击穿电压温度系数 | VDS/TJ| ID = -250µA | | -19 | | mV/°C |
| 阈值电压温度系数 | VGS(th)/TJ| | | | | V/°C |
#### 动态参数
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---------------------|----|--------|------|------|------|----|
| 开关时间 | ton | | | | | ns |
| 关断时间 | toff | | | | | ns |
| 开关延迟时间 | td(on) | | | | | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | | | | | ns |
#### 封装与热阻
| 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|-------------------------|------|------|------|-----|
| 最大结到环境热阻（脉冲≤5s） | RthJA | 75 | 100 | °C/W |
| 最大结到脚（漏极）热阻 | RthJF | 40 | 50 | °C/W |
#### 使用注意事项
- 超出“绝对最大额定值”的应力可能会导致器件永久损坏。
- 上述额定值仅为应力评级，并不意味着在超出规格的操作条件下能正常工作。
- 长时间暴露于绝对最大额定值条件可能会影响器件的可靠性。
#### 结论
2309N-VB是一款高性能的P-Channel沟道MOSFET，适用于多种移动计算设备中的电源管理和转换应用。通过其低导通电阻、高可靠性和紧凑的SOT23封装，这款晶体管能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
