【FDS6681Z-NL-VB】是一款P沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET第四代技术，旨在实现更高的功率密度。这款MOSFET适用于多种应用，包括移动设备的电池管理、适配器和充电器开关、电池开关以及负载开关。
在【参数规格】方面：
- 工作电压（D-S）为-30V，这意味着该MOSFET可以承受最大30伏的反向电压。
- 在10V的栅极电压（VGS）下，其漏源导通电阻（RDS(on)）低至5毫欧，而在4.5V的VGS下，RDS(on)为8毫欧。这确保了低电阻，从而在开关操作中提供较低的功率损耗。
- 静态电荷（Qg）典型值为27纳库仑，这影响开关速度，较小的Qg意味着更快的开关时间和更低的动态功耗。
- 持续漏电流（ID）在25℃时的最大值为18安培，在70℃时降低到13安培，这表明随着温度升高，器件的电流承载能力会有所下降。
- 短脉冲下的峰值脉冲电流（IDM）可达到145安培，用于短时间的大电流瞬态操作。
- 持续源漏二极管电流（IS）在25℃时的最大值为-5安培，表示二极管反向导通时的电流能力。
- 单脉冲雪崩电流（IAS）和单脉冲雪崩能量（EAS）提供了关于器件在雪崩条件下的耐受能力。
【热特性】：
- 最大结壳热阻（RthJF）在稳态下为18°C/瓦，表明当结温升至外壳时的散热效率。
- 最大结到环境的热阻（RthJA）在10秒内小于或等于40°C/瓦，这意味着在无额外散热措施的情况下，器件能处理的最大功率和温度上升之间的关系。
- 推荐的焊接温度峰值为260°C，这是为了确保可靠地与电路板连接。
【注意事项】：
- 包装限制，例如SO-8封装是无引脚的，端部的铅端是裸露的铜，不保证有焊锡珠，但不影响底部的焊锡连接。
- 对于无引脚组件，不推荐使用烙铁手动焊接。
- 所有的绝对最大额定值是指超出这些限制可能会导致器件损坏。
FDS6681Z-NL-VB是一款适用于需要高效能、低损耗电源切换的应用的高性能P沟道MOSFET。其优秀的电气特性和热性能使其成为电池管理、充电器和适配器等领域的理想选择。设计者在使用时应考虑温度对电流承载能力和热管理的影响，并遵循制造商的焊接指导，以确保器件的长期可靠性和性能。
