**FDS8333C-NL-VB MOSFET详解**
FDS8333C-NL-VB是一款双沟道(N+P)MOSFET,采用SOP8封装,具备高效能和环保特性。这款MOSFET符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准,并且遵循RoHS指令2002/95/EC。其主要特点是采用了TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,能够显著降低导通电阻,提高器件的开关性能。
**关键参数与特性**
- **N-通道MOSFET**:在VGS = 10V时,RDS(on)为0.018Ω,最大连续漏源电流ID为8A,Qg典型值为6.2nC。在VGS = 8V时,RDS(on)降低至0.08Ω;在VGS = 4.5V时,RDS(on)进一步减小到0.008Ω。
- **P-通道MOSFET**:在VGS = -10V时,RDS(on)为0.032Ω,最大连续漏源电流ID同样为8A,Qg典型值为18.5nC。在VGS = -8V时,RDS(on)为0.034Ω;在VGS = -4.5V时,RDS(on)上升至0.040Ω。
**绝对最大额定值**
- **漏源电压VDS**:N-和P-通道的最大VDS均为30V。
- **栅源电压VGS**:对于两个通道,正向和反向的VGS极限值均为±20V。
- **连续漏源电流ID**:在TJ = 150°C时,N-通道的最大ID为8A,P-通道的ID也为8A。随着温度升高,ID会有所降低。
**脉冲电流能力**
- **脉冲漏源电流IDM**:对于N-和P-通道,IDM均为40A。
- **源漏电流Is和源漏电流脉冲IsM**:N-和P-通道的最大源漏电流Is在25°C时为2.6A,脉冲源漏电流IsM同样是40A。
**雪崩电流和能量**
- **单脉冲雪崩电流HIAS**:在L = 0.1m时,N-和P-通道的HIAS为10到20A。
- **单脉冲雪崩能量EAS**:最大值为520mJ。
**功率耗散**
- **最大功率耗散PD**:在25°C时,PD为3.1W至3.2W,而70°C时则降低至22.1W左右。
**热特性**
- **结壳热阻RthJA**:N-通道的典型值为50°C/W,最大值为62.5°C/W,P-通道的典型值和最大值分别为47°C/W和62.5°C/W。
- **结脚(漏极)到壳体的稳态热阻RthJF**:N-和P-通道的典型值在30至40°C/W之间。
**规格参数**
- **静态漏源击穿电压VDS**:在VGS = 0V,ID = 250μA时,N-通道的VDS最小值为30V,P-通道的VDS为-30V。
- **VGS阈值电压VGS(th)**:ID = 250μA时,N-通道的VGS(th)的温度系数ΔVGS(th)/TJ为40mV/°C,P-通道为-34mV/°C。
这款MOSFET适用于电机驱动等应用,如移动电源等。对于需要高效、低损耗和高可靠性的电路设计,FDS8333C-NL-VB是一个理想的组件选择。欲获取更多信息,可以访问VBsemi.com或拨打服务热线400-655-8788咨询。