IPD26N06S2L-35-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析

IPD26N06S2L-35-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于电源管理、开关电源、电池保护和驱动电路等多种应用场景。这款MOSFET拥有60V的额定电压和45A的连续漏极电流（ID），其在10V的栅极电压下，导通电阻（RDS(ON)）为24毫欧，而在4.5V的栅极电压下，导通电阻则为28毫欧。低的导通电阻意味着在开关操作时，它能够提供较低的功率损耗，从而提高效率。 该器件的门极阈值电压（VGS(th)）在1.8V至3.0V之间，这使得它在低电压系统中也能轻松驱动。门极源极漏电流（IGSS）在±20V的门极源极电压下小于100nA，表明其静态特性良好，不会产生不必要的电流泄漏。此外，零门极电压下的漏极电流（IDSS）在不同温度下也有规定，确保了在高温环境下的稳定性能。 IPD26N06S2L-35-VB的绝对最大额定值包括门极-源极电压（VGS）为±20V，连续漏极电流（ID）在175°C结温下为45A，以及脉冲漏极电流（IDM）为100A。它的雪崩能量（EAS）和单脉冲雪崩电流（IAS）分别为20mJ和20A，这意味着它具有一定的雪崩耐受能力，能够在安全范围内承受过载条件。 热性能方面，器件的最大结壳热阻（RthJC）为3.2°C/W，而最大结温到环境的热阻（RthJA）在10秒内为182°C/W，长期稳定状态下为405°C/W。这些参数对于计算MOSFET在实际应用中的温升至关重要，确保了在高功率运行时的散热能力。 此外，该MOSFET符合RoHS标准，适合环保要求。制造商VBsemi提供了详细的技术支持和服务热线，方便用户获取更多的产品信息和技术咨询。IPD26N06S2L-35-VB是一款高性能、低损耗、高耐热的N沟道MOSFET，适用于对效率和可靠性有较高要求的电子设计。