RSD050N10TL-VB-MOSFET产品应用与参数解析

"RSD050N10TL-VB-MOSFET产品应用与参数解析" 本文将详细介绍RSD050N10TL-VB-MOSFET产品的应用和参数解析，涵盖其特性、应用场景、参数列表、绝对最大额定值、热阻抗等方面的内容。 一、特性 RSD050N10TL-VB-MOSFET是N沟道 MOSFET，具有以下特性： *renchFET® Power MOSFET *TrenchFET技术使其具有低导通电阻和高速开关能力 *175°C结温，适用于高温应用 *PWM优化，适用于PWM调制应用 *100% Rg测试，确保了其可靠性 *符合RoHS指令2002/95/EC，符合环保要求 二、应用场景 RSD050N10TL-VB-MOSFET主要应用于以下场景： *.Primary Side Switch：作为_primary side开关，用于电源转换和DC-DC转换等应用 *PWM控制：用于PWM控制电路，实现高频率开关和高效率转换 三、参数列表 以下是RSD050N10TL-VB-MOSFET的参数列表： *VDS（漏源电压）：100V *RDS（on）（导通电阻）：115mΩ@10V，121mΩ@4.5V *ID（漏电流）：18A *VGS（门源电压）：±20V *Vth（阈值电压）：1.6V *TJ（结温）：175°C *PD（最大功率）：96W 四、绝对最大额定值 以下是RSD050N10TL-VB-MOSFET的绝对最大额定值： *VDS（漏源电压）：100V *VGS（门源电压）：±20V *ID（漏电流）：18A *IS（源电流）：3A *IAS（avalanche电流）：3A *L（单脉冲avalanche能量）：18mJ *TJ（结温）：175°C 五、热阻抗 以下是RSD050N10TL-VB-MOSFET的热阻抗参数： *RthJA（结温-ambient）：1518°C/W *RthJC（结温-Case）：0.85°C/W *RthJC（结温-Case）：1.115°C/W RSD050N10TL-VB-MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高温稳定性和PWM优化等特性，适用于各种电源转换和DC-DC转换应用。