"RSD050N10TL-VB-MOSFET产品应用与参数解析"
本文将详细介绍RSD050N10TL-VB-MOSFET产品的应用和参数解析，涵盖其特性、应用场景、参数列表、绝对最大额定值、热阻抗等方面的内容。
一、特性
RSD050N10TL-VB-MOSFET是N沟道 MOSFET，具有以下特性：
*renchFET® Power MOSFET
*TrenchFET技术使其具有低导通电阻和高速开关能力
*175°C结温，适用于高温应用
*PWM优化，适用于PWM调制应用
*100% Rg测试，确保了其可靠性
*符合RoHS指令2002/95/EC，符合环保要求
二、应用场景
RSD050N10TL-VB-MOSFET主要应用于以下场景：
*.Primary Side Switch：作为_primary side开关，用于电源转换和DC-DC转换等应用
*PWM控制：用于PWM控制电路，实现高频率开关和高效率转换
三、参数列表
以下是RSD050N10TL-VB-MOSFET的参数列表：
*VDS（漏源电压）：100V
*RDS（on）（导通电阻）：115mΩ@10V，121mΩ@4.5V
*ID（漏电流）：18A
*VGS（门源电压）：±20V
*Vth（阈值电压）：1.6V
*TJ（结温）：175°C
*PD（最大功率）：96W
四、绝对最大额定值
以下是RSD050N10TL-VB-MOSFET的绝对最大额定值：
*VDS（漏源电压）：100V
*VGS（门源电压）：±20V
*ID（漏电流）：18A
*IS（源电流）：3A
*IAS（avalanche电流）：3A
*L（单脉冲avalanche能量）：18mJ
*TJ（结温）：175°C
五、热阻抗
以下是RSD050N10TL-VB-MOSFET的热阻抗参数：
*RthJA（结温-ambient）：1518°C/W
*RthJC（结温-Case）：0.85°C/W
*RthJC（结温-Case）：1.115°C/W
RSD050N10TL-VB-MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高温稳定性和PWM优化等特性，适用于各种电源转换和DC-DC转换应用。
