**FR5305-VB MOSFET 产品概述**
FR5305-VB 是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于高电压、大电流的应用场合。该器件采用TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，能够在保持低电阻的同时，提供更小的封装尺寸和更高的功率密度。
**关键参数**
1. **额定电压（VDS）**：-60V，表示MOSFET可以从源极到漏极承受的最大电压。
2. **最大连续漏电流（ID）**：在结温TJ = 175°C时为-50A，而在TJ = 125°C时为-40A，这表明MOSFET的载流能力随温度上升而下降。
3. **开启电压（VGS(th)）**：-1.5V至-3V，这是使MOSFET开始导通所需的最小栅极-源极电压。
4. **漏源导通电阻（RDS(on)）**：在VGS = -10V时为20mΩ，VGS = -4.5V时为25mΩ，这是衡量MOSFET导通状态下的内阻的重要参数。
5. **封装类型**：TO-252，这种封装形式适合于表面安装，并且提供良好的热性能。
**绝对最大额定值**
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V，超过这个电压可能导致器件损坏。
- **脉冲漏电流（IDM）**：-160A，这是MOSFET可以承受的脉冲电流峰值。
- **雪崩电流（IAS）**：-50A，这是器件在雪崩条件下可承受的最大电流。
- **单脉冲雪崩能量（EAS）**：125mJ，这是MOSFET在雪崩事件中能承受的最大能量。
**热特性**
- **结壳热阻（RthJC）**：0.82°C/W至1.1°C/W，这是从MOSFET的结部到封装外壳的热阻。
- **结-环境热阻（RthJA）**：151°C/W至180°C/W，这决定了器件在空气中冷却的效率。
**工作条件**
- **工作和存储温度范围（TJ, Tstg）**：-55°C至150°C，这是器件可以正常工作或储存的温度范围。
**规格（TJ = 25°C）**
- **零栅极电压漏电流（IDSS）**：在不同温度下，当VDS = -60V，VGS = 0V时，漏电流的范围是-1μA至-100μA，这显示了MOSFET在非导通状态下的泄漏电流。
- **静态 Drain-Source 断路电压（VDS）**：测试条件为VGS = 0V，ID = -250μA，保证电压至少为-60V，高于此值可能导致击穿。
**注意**
- 超出“绝对最大额定值”的应力可能会导致设备永久损坏，这些是应力评级，而非功能操作的保证。
- 功能操作的保证是在规格书的操作部分所指定的条件内。
FR5305-VB MOSFET适用于负载开关等应用，因其低导通电阻和较高的耐压能力。在实际应用中，必须确保其工作在推荐的电气和热限制之内，以确保长期的可靠性和设备稳定性。同时，制造商VBsemi提供了详细的数据表和技术支持，便于用户在设计中正确选择和使用该器件。
