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第
46
卷 第
4
期
2016
年
8
月
微 电 子 学
Microelectronics
Vol.46
,
No.4
Au
g
.2016
收稿日期
:
2015
-
07
-
02
;
定稿日期
:
2015
-
09
-
01
基金项目
:
国家自然科学基金资助项目
(
61471310
)
作者简介
:
邓玉斌
(
1989-
),
男
(
汉族
),
湖南衡阳人
,
硕士研究生
,
研究方向为大功率
LED
驱动电路研究与设计
。
曾以成
(
1962-
),
男
(
汉族
),
湖南涟源人
,
博士
,
教授
,
研究方向为信号处理
、
LED
驱动电路研究与设计
。
低温漂系数共源共栅
CMOS
带隙基准电压源
邓玉斌
,
曾以成
,
陈星燕
,
张东亮
(
湘潭大学 微电子科学与工程系
,
湖南 湘潭
411105
)
摘
要
:
设计了一种低温漂系数的共源共栅
CMOS
带隙基准源
,
采用自偏置共源共栅结构
,
提高
了电路的电源抑制比
,
降低了电路的工作电源电压
。
采用不同温度下从输出支路抽取不同值电流
的电路结构
,
在低温段抽取一个正温度系数电流
,
在高温段再注入一个较小值的正温度系数电流
,
达到降低温漂系数的目的
。
在
0.5
μ
m
CMOS
工艺下
,
Cadence
S
p
ectre
电路仿真的结果表明
,
温度
特性得到了较大改善
,
在
-35℃
~
125℃
温度范围内
,
带隙基准源的温漂系数为
1.5 ×10
-6
/
℃
,
电
源抑制比为
65dB
。
关键词
:
带隙基准电压源
;
共源共栅
;
低温漂系数
;
电流抽取
中图分类号
:
TN432
文献标识码
:
A
文章编号
:
1004
-
3365
(
2016
)
04
-
0488
-
05
A
Low
Tem
p
erature
Drift
Coefficient
Cascode
CMOS
Band
g
a
p
Volta
g
e
Reference
DENG
Yubin
,
ZENG
Yichen
g
,
CHEN
Xin
gy
an
,
ZHANG
Don
g
lian
g
(
De
p
artment
o
f
Microelectronics
Science
and
En
g
ineerin
g
,
Xian
g
tan
Universit
y
,
Xian
g
tan
,
Hunan
411105
,
P
.
R
.
China
)
Abstract
:
A
low
tem
p
erature
drift
coefficient
CMOS
band
g
a
p
volta
g
e
reference
source
was
desi
g
ned.A
self
-
biased
cascode
circuit
structure
was
used
to
im
p
rove
the
PSRR
and
to
cut
the
o
p
eratin
g
su
pp
l
y
volta
g
e.A
circuit
structure
that
would
extract
different
values
of
current
from
out
p
ut
branch
at
different
tem
p
erature
was
ado
p
ted
to
achieve
the
p
ur
p
ose
of
reducin
g
the
tem
p
erature
drift
coefficient.In
this
wa
y
,
when
the
circuit
was
in
the
p
eriod
of
low
tem
p
erature
,
a
p
ositive
tem
p
erature
coefficient
current
could
be
extracted
from
its
out
p
ut
branch
,
and
while
the
circuit
was
in
the
p
eriod
of
hi
g
h
tem
p
erature
,
a
smaller
value
of
p
ositive
tem
p
erature
coefficient
current
could
be
in
j
ected
into
its
out
p
ut
branch .Based
on
0.5
μ
m
CMOS
p
rocess
,
the
circuit
was
simulated
with
S
p
ectre
of
Cadence.
Simulation
results
showed
that
its
tem
p
erature
characteristics
was
im
p
roved
g
reatl
y
,
the
tem
p
erature
drift
coefficient
was
1.5 ×10
-6
/
℃in
the
tem
p
erature
ran
g
e
from -35 ℃to
125 ℃
,
and
the
PSRR
was
65dB.
Ke
y
words
:
Band
g
a
p
volta
g
e
reference
;
Cascode
;
Low
tem
p
erature
drift
coefficient
;
Current
extraction
1
引
言
带隙基准电压源作为基本参考源
,
为功能模块
提供高精度的电压基准或者高精度的电流基准
,
广
泛应用于
A
/
D
和
D
/
A
转换器
、
开关电源等电路中
,
其电压稳定性
、
温度特性
、
抗噪声能力等直接影响功
能模块甚至系统的精度和性能
。
常用带隙基准电压
源电路一般采用含有运算放大器的电路结构
。
这种
结构使基准电压源有较高的电源抑制比和较低的温
DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.04.014
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