Samsung -K6R1004C1D-JC10.pdf

【Samsung K6R1004C1D-JC10】是一款由三星电子推出的256Kx4位（带有OE）高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），设计工作电压为5.0V。这款芯片具有快速访问时间，最大可达10ns，适合需要高速数据处理的应用场景。 在【Revision History】部分，我们可以看到该文档经过了多次修订，从Rev. 0.0到Rev. 3.0，逐步完善和更新了产品的规格。例如，Rev. 0.1删除了15ns速度等级，Rev. 1.0标志着最终数据表的发布，并删除了与UB、LB相关的交流特性及时序图。在Rev. 3.0中，进一步删除了12ns速度等级，并增加了无铅封装类型。 关于【Power Dissipation】，在工业模式下，芯片的待机电流（ICC）从Rev. 0.0的100mA降低到Rev. 3.0的75mA，进一步优化了能效。此外，对于不同速度等级，电流消耗也有调整，12ns速度等级的电流从75mA减少到65mA，这表明三星在产品开发过程中不断优化了功耗性能。 【Ordering Information】列出了不同封装和速度等级的产品型号，例如： - K6R1004C1D-J(K)C(I)：256K x 4位，速度10ns，32-SOJ封装，分别对应商业温度和工业温度。 - K6R1008C1D-J(K,T,U)：128K x 8位，速度10ns，提供了32-SOJ、32-TSOP2和32-TSOP2（LF）封装选项。 - K6R1016C1D-J(K,T,U,E)：64K x 16位，速度10ns，提供了44-SOJ、44-TSOP2、44-TSOP2（LF）和48-TBGAK封装。 这些信息对系统设计师来说非常重要，因为它们可以帮助选择满足特定应用需求的正确芯片版本，如封装大小、速度等级和工作环境温度范围。 Samsung K6R1004C1D-JC10是一款高性能的CMOS SRAM，其快速的访问时间和逐步优化的电源管理特性使其成为需要高速缓存或临时数据存储的电路设计的理想选择。随着修订版本的更新，三星持续改进产品的性能和效率，以满足不断发展的市场和技术需求。