Samsung -K6F4016R4E.pdf

根据所提供的文件内容，这份文档是关于三星电子公司生产的K6F4016R4E系列静态随机存取存储器（SRAM）的技术数据表。接下来，我将详细解释文档中所包含的关键知识点。 标题中的“Samsung -K6F4016R4E.pdf”指的是三星公司的一个具体型号的SRAM产品文档。标题一般用于标识文档的主要内容和主题。 描述中的“Samsung -K6F4016R4E.pdf”与标题相同，这里重复了文档的名称，没有提供新的信息。 标签是空的，没有提供任何信息。 文档中“256Kx16bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM K6F4016R4E Family”提到的是这款SRAM的主要特性，包括其内存容量、数据位宽、超低功耗和低工作电压特性。256Kx16bit表示该存储器拥有256K个存储位置，每个位置可以存储16位的数据。Super Low Power指的是产品在低功耗方面的优势，非常适合于移动设备或需要长时间待机的应用。Full CMOS表明这是使用了完全互补金属氧化物半导体技术制造的SRAM。SRAM作为一种快速的非易失性存储器，常用于缓存应用。 文档中还提到了“Document Title Revision History”，显示了文档的修订历史记录。文档经历了初始草稿、最终定稿以及预览版和最终版的修订过程。这为用户提供了版本管理的透明度。 在产品特性方面，文档列出了以下关键信息： - 过程技术：采用全CMOS工艺。 - 组织结构：256Kx16位。 - 电源电压：1.65V到2.20V，适合低电压操作。 - 数据保持电压：最低为1.0V，适用于电池备份操作。 - 三态输出：表示输出端可以处于三种状态：逻辑高、逻辑低和高阻态，从而允许更好的总线连接控制。 - 封装类型：48脚薄球栅阵列（48-TBGA），尺寸为6.00x7.00mm，这种封装类型具有较小的尺寸和较高的引脚密度，对于空间受限的设计非常有用。 关于产品家族的通用描述，文档提供了K6F4016R4E-F型号的详细规格。这些规格包括： - 工作温度范围：工业级温度范围，即-40℃至85℃。 - 电源电压（Vcc）范围：1.65V至2.2V。 - 速度等级：70ns（纳秒）和85ns，速度等级反映存储器访问数据所需的时间。 - 封装类型：再次提到是48-TBGA。 - 功耗：在待机模式下典型值为0.5mA，在工作模式下最大值为2mA。 引脚描述部分详细说明了K6F4016R4E每个引脚的功能，例如A0到A17是地址输入，I/O1到I/O16是数据输入/输出，CS是芯片选择，OE是输出使能，WE是写使能，LBO是低电池检测输出。文档还提供了一个功能块图，展示了存储器的内部结构和主要组件，如时钟发生器、预充电路、电源、行列选择、数据控制和存储单元阵列等。 文档中还包含了一些注意事项，例如三星电子保留更改规格和产品的权利，以及数据手册所包含的数据由三星电子公司提供，并且对于设备有任何问题，应通过联系三星办事处获得帮助。 本文档详细介绍了三星K6F4016R4E系列SRAM的特性、技术规格、封装细节和应用领域，为使用者提供了丰富的信息，帮助他们更好地理解和应用这款存储器产品。