**知识点详解：三星K9LBG08U0D Flash Memory Datasheet解析**
### 一、产品概览
**标题与描述中的“三星Flash K9LBG08U0D datasheet”**指的是三星电子生产的K9LBG08U0D型号的闪存芯片的技术规格书。此芯片属于非易失性存储类别，即在断电后仍能保留数据，广泛应用于各类电子产品中存储程序代码或用户数据。
### 二、技术参数与特性
#### 1. **产品规格与变更声明**
文档明确指出，三星保留随时更改产品或规格的权利，且不需提前通知。这意味着用户在设计时应考虑到规格可能的变动，并定期查阅最新的数据手册。所有信息均以“现状”提供，没有任何形式的担保或保修。
#### 2. **应用限制**
三星产品未被设计用于生命支持、关键医疗、安全设备等应用场合，其中产品故障可能导致生命损失、人身伤害或物理损害，以及任何军事、国防应用或适用于特殊条款与规定的政府采购。这强调了产品使用的安全性和合规性。
### 三、产品细节
#### 1. **容量与组织结构**
K9LBG08U0D是一种NAND型闪存，其组织结构为4G x 8位/8G x 8位/16G x 8位。这意味着它提供多种存储容量选项，适合不同应用场景的需求。
#### 2. **产品列表**
- **K9LBG08U0D-P**：工作电压范围为2.7V至3.6V，采用x8的组织结构，封装类型为TSOP1。
- **K9HCG08U1D-P**：虽然具体参数未列出，但可以推测其与K9LBG08U0D-P有相似的特性。
- **K9MDG08U5D-P**：同样采用TSOP1-DSP封装，暗示了可能在封装尺寸或引脚排列上有所优化。
- **K9PDGZ8U5D**：此型号的详细信息在给出的部分内容中未完全展示，但从命名规则推测，它可能是系列中的一员，具有特定的电压范围、组织结构和封装类型。
### 四、修订历史
文档提供了详细的修订历史记录，从初版到最终版，包括日期、版本号和变更说明。例如，从初版（0.0）到最终版（1.1），可以看到如包厚度、引脚位置、操作模式、读取周期时间等方面的调整。这反映了三星对产品质量控制和持续改进的承诺。
### 五、联系与支持
文档鼓励用户通过最近的三星办事处获取更新或附加信息，强调了客户支持的重要性。此外，对于特定应用领域的限制，也提醒用户注意产品的使用范围，避免不当应用导致的风险。
### 六、保密声明
文档标注为“Samsung Confidential”，表明该资料包含敏感信息，未经许可不得随意传播或使用。这是保护知识产权和商业秘密的常见做法，确保了技术信息的安全性。
三星K9LBG08U0D Flash Memory Datasheet不仅详细介绍了产品的技术规格、应用范围和限制，还体现了制造商在产品开发过程中的透明度和对用户负责的态度。通过对这些信息的深入理解，设计人员能够更准确地评估并选择合适的闪存解决方案，以满足其特定项目的需求。
