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半导体工艺-离子注入和快退火工艺
半导体工艺-离子注入和快退火工艺
半导体工艺
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半导体工艺--离子注入和快退火工艺
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离子注入半导体的激光退火
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叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用,以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。
离子注入和激光退火
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近年来,激光退火与离子注入技术相结合已在半导体和金属物理领域中获得应用。讨论了激光与固体表面相互作的物理机制。报道了有关激光照射前放射性原子注入到表面的扩散的研究情况。本文报道了激光退火的现状,这种工艺过程对于辐射损伤无定形硅重结晶的重要性以及在半导体物理中的应用前景。
离子注入
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离子注入是另一种掺杂技术,离子注入掺杂也分为两个步骤:离子注入和退火再分布。离子注入是通过高能离子束轰击硅片表面,在掺杂窗口处,杂质离子被注入硅本体,在其他部位,杂质离子被硅表面的保护层屏蔽,完成选择掺杂的过程。进入硅中的杂质离子在一定的位置形成一定的分布。通常,离子注入的深度(平均射程)较浅且浓度较大,必须重新使它们再分布。掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定,掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂
论文研究-离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响 .pdf
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离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响,张斌,,在半导体工艺中,在摩尔定律的指导下,器件的关键尺寸不断缩小,以此来不断提升器件的性能,而且为了保持器件性能以及集成性,器
微微秒激光退火获得的半导体表面衍射光栅
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目前,使用微微秒脉宽的强脉冲激光辐射的离子注入层退火获有重要意义。这不仅取决于与激光退火的物理机理的暴露有关的问题(特别是,非热过程的作用),而且还取决于超短激光脉冲作用于半导体的实际应用新的可能性。
激光退火加快存贮集成电路的响应
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锗的点缺陷激光退火
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聚焦高斯光束光点尺寸的测量
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在半导体工业开发研究领域中,如离子注入损伤的激光退火、激光增强的电镀和水溶液激光蚀刻等,激光已经日益变得不可缺少。实验结果的重复和验证需有一种精确测定激光输出功率密度的方法。聚焦高斯光束的光点尺寸是...
STM32 ULN2003驱动28BYJ-48 工程源码文件
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很多人问我要源码,在这里把【STM32】步进电机及其驱动(ULN2003驱动28BYJ-48丨按键控制电机旋转)文章配套资源,这是编译之后的Keil 5工程源码文件,对应STM32F103C8T6,欢迎大家交流参考
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2020级天津大学数字逻辑ALU4BITS(vivado)【实验相关】 基于数字逻辑相关课程完成以下任务: 1. 掌握全加器和行波进位加法器的结构; 2. 熟悉加减法运算及溢出的判断方法; 3. 掌握算术逻辑单元(ALU)的结构; 4. 熟练使用 SystemVerilog HDL 的行为建模和结构化建模方法对 ALU 进行 描述实现; 5. 预习“单周期 MIPS 处理器的设计与实现”。
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第14届蓝桥杯单片机省赛程序题题目,省赛考试原题,需要原题程序可私。
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