晶粒长大程序

2.Ln=200;        %格点边长
3.L=zeros(Ln);   %格点矩阵
4.Q=120;         %总取向数
5.step_num=500;  %MC总步数
6.interval_save_jpg=20;         %图形存储间隔
7.interval_stastics=2;          %晶粒平均参数和相对密度统计间隔
8.stastics_data=zeros(step_num/interval_stastics,5);           %存储每interval_stastics次MCS后的平均晶粒尺寸和相对密度，存储格式为(MCS,grain count,average area,average diameter,relative density)
9.
10.
11.%烧结模拟过程参数赋值
12.T=1;    %温度参数
13.J1=1;   %晶界能
14.
15.
16.%初始结构的格点赋值
17.rand_l=randperm(Ln^2);
18.for i=1:Ln^2*V_pore
19.    if rem(rand_l(i),Ln)==0
20.        x=Ln;
21.        y=fix(rand_l(i)/Ln);
22.      else
23.        x=rem(rand_l(i),Ln);
24.        y=fix(rand_l(i)/Ln)+1;
25.    end
26.    L(x,y)=-1;  %标识孔洞区域
27.end
28.for i=(Ln^2*V_pore+1):Ln^2
29.    if rem(rand_l(i),Ln)==0
30.        x=Ln;
31.        y=fix(rand_l(i)/Ln);

32.      else
33.        x=rem(rand_l(i),Ln);
34.        y=fix(rand_l(i)/Ln)+1;
35.    end
36.    rand_Q=randperm(Q);
37.    L(x,y)=rand_Q(1);  %标识晶粒区域
38.end
39.
40.temp_L=zeros(Ln+2);    %标识边界区域标示为0，便于后续处理
41.temp_L(2:Ln+1,2:Ln+1)=L;
42.L=temp_L;
43.Ln=Ln+2;               %此时L边长Ln=Ln+2
44.
45.s=[-1 -1
46.   -1  0
47.   -1  1
48.    0 -1
49.    0  1
50.    1 -1
51.    1  0
52.    1  1];     %便于随即选取所选格点周围相邻的一个格点
53.
54.
55.%开始CAS模拟
56.for step=1:step_num
57.
58.    step   %显示MCS进程
59.
60.    rand_l=randperm(Ln^2);
61.