NandFlash和NorFlash详解.docx
4星 · 超过85%的资源 需积分: 13 193 浏览量
2015-11-03
10:07:33
上传
评论 1
收藏 60KB DOCX 举报 
Flash Nor Nand
闪存简介：
闪存是可通过电擦写和重编程的非挥发性计算机存储器。闪存技术主要应用在计算机和
其他数字设备间传输数据的存储卡和 盘上。它是一种可用大块擦写和重编程技术访问
的特殊类型的 （）。闪存不需
要电源维持芯片内保存的数据。另外闪存相比硬盘有数倍的访问速度并且更抗震动。它可
以经受很大的压力，极端的温度，甚至可以浸泡在水中仍然保持可用。
主要采用两种规格的技术： 和 。
型与 型闪存的区别很大，打个比方说， 型闪存更像内存，有独立的地
址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而 型更像硬盘，地址线和数据线是共
用的 !" 线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且 型与 型闪
存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此， 型闪存比较适合频繁随机读写的场合，
通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用 型闪存的大户，所以手机
的“内存”容量通常不大； 型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、
数码存储卡都是用 型闪存。在大部分应用中都采用 ，以下的芯片选型都
是关于 。
型闪存的技术特点：
内存和 型闪存的基本存储单元是 ，用户可以随机访问任何一个 的信息。而
型闪存的基本存储单元是页（）（可以看到， 型闪存的页就类似硬盘的扇
区，硬盘的一个扇区也为 #$% 字节）。每一页的有效容量是 #$% 字节的倍数。所谓的有效
容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上 $& 字节的校验信息，因此我们可以在闪存
厂商的技术资料当中看到“（#$%'$&）(的表示方式。目前 %) 以下容量的 型闪存
绝大多数是（#$%'$&）字节的页面容量，%) 以上容量的 型闪存则将页容量扩大到
（%*+,'&+）字节。
型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果
目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块
包含 -% 个 #$% 字节的页，容量 $&.；而大容量闪存采用 %. 页时，则每个块包含 &+ 个页，
容量 $%,.。
每颗 型闪存的 !" 接口一般是 , 条，每条数据线每次传输（#$%'$&） 信息，, 条
就是（#$%'$&）/,，也就是前面说的 #$% 字节。但较大容量的 型闪存也越来越多
地采用 $& 条 !" 线的设计，如三星编号 .0.$)$&* 的芯片就是 &+/$& 的 型闪
存，容量 $)，基本数据单位是（%#&',）/$&，还是 #$% 字节。
寻址时， 型闪存通过 , 条 !" 接口数据线传输地址信息包，每包传送 , 位地址信
息。由于闪存芯片容量比较大，一组 , 位地址只够寻址 %#& 个页，显然是不够的，因此通
常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。 的地址信息包括列地址（页
面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占
用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此
型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比
其他存储介质长，因此 型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
闪存的架构：
闪存可分为两大架构，分别是单层式储存（12），即 2；多层式储
存（3412），即 2。还有一类多位式存储（342），即 2，由英飞凌
（!5）与赛芬半导体（633）合资利用 技术共同开发的
架构，技术上的问题目前还没有得到广泛应用。网上相关资料也非常有限，因此暂时不做
资源评论
lc80552017-12-28看不太懂，还行- hongcai72015-11-03大概看一下，还行
