LNA 设计的技术指标:工作频率 825 MHz — 835 MHz;噪声系数<1.8 dB;
关键器件选择
ATF-54143 是一款高增益、宽动态范围、低噪声的 E-PHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体
管),只需要一个 正的电压偏置,器件体积小,电路集成度高,特别适用于 450 MHz — 6 GHz 频段的
通信系统。而且根据器件性能,在漏电流 IDS 为 60 mA 时能得到最高的三阶截取点(IP3)和最低噪声系
数(NF),在漏电压 VDS 为 3 V 时,有较高的增益。
LNA 电路的设计
通常,在设计 LNA 时主要考虑低噪声系数(NF),足够的增益和绝对稳定性,但在实际应用中,高
截取点、供电电压和低电流损耗也需要考虑。
直流偏置电路的设计
首先,以 ATF-54143 的栅极电压 VDS 作为扫描参数对元件的静态工作点(漏极电流 IDS 和漏极电
压 VDS)进行仿真。图 2 和图 3 分别为仿真图和电路原理图。再根据选定的 VDS(3 V),IDS(60
mA),VGS(0.56 V), 用公式(1)(2)(3)计算各偏置电阻值。
式中,IBB=2 mA 是设定流经 R1 和 R2 电阻分压网络的电流,Vdd=5 V 是供电电压,经计算得出各偏
置电阻值:R1=280 Ω,R2=1220 Ω,网 R3=33 Ω。