模拟电子技术基础试卷及答案
一、填空（18 分）
1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为 10 V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 12
V，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。
3．差分放大电路，若两个输入信号 u
I1
u
I2
，则输出电压，u
O
0 ；若 u
I1
=100V，u
I 2
=80V 则差
模输入电压 u
Id
=20V；共模输入电压 u
Ic
=90 V。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于 10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于 10 kHz 时，可选用
高通 滤波器；希望抑制 50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用
带通 滤波器。
5．若三级放大电路中 A
u1
A
u2
30dB，A
u3
20dB，则其总电压增益为 80 dB，折合为 10
4
倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流 I
CQ
0 、静态时的电源功耗 P
DC
= 0 。这类功放的能量转换
效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。
7．集成三端稳压器 CW7915 的输出电压为 15 V。
二、选择正确答案填空（20 分）
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管
C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管
2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A．P 沟道增强型 MOS 管 B、P 沟道结型场效应管
C、N 沟道增强型 MOS 管 D、N 沟道耗尽型 MOS 管
3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大
4.在图示电路中,R
i
为其输入电阻，R
S
为常数，为使下限频率 f
L
降低，应（ D ）。
A． 减小 C，减小 R
i
B. 减小 C，增大 R
i
C. 增大 C，减小 R
i
D. 增大 C，增大 R
i
5.如图所示复合管，已知 V
1
的
1
= 30，V
2
的
2
= 50，则复合后的
约为（ A ）。
A．1500 B.80 C.50 D.30
6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC 串并联选频网络和（ D ）。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路
7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器
8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真
O
0
i
D
/mA
-4
u
GS
/V
5
+
u
O
_
u
s
R
B
R
s
+V
CC
V
C
+
R
C
R
i
O
t
u
I
t
u
o
4 题图
7 题图
V
2
V
1
