RAM DDR SDRAM FLASH MEMORY ROM 相关知识 多个文件（自己整理）

DDR SDRAM（Dual date rate SDRSM）又简称DDR，翻译成中文就是“双倍速率SDRAM”的意思。 三星(Samsung)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL) ********************************************************************** ***现代*** ·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 ·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。 ·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) ·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新) ·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片) ·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank) ·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18) ·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代) ·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 ·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA) ·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 ·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200) ·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度) 　　因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDR SDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。 由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第13个编号，它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”，而又运行在DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。 ********************************************************************** ***micron（美光）*** 以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： mt——micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。 lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。 16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。 a2——内存内核版本号。 tg——封装方式，tg即tsop封装。 -75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。 实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每 个bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。 winbond（华邦） 含义说明： wxxxxxxxx 12345 1、w代表内存颗粒是由winbond生产 2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h； 4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装 5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、 166mhz；5：5ns、200mhz ********************************************************************** samsung内存 例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表dram。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、 63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit 的容量；51代表512mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10 为10ns(66mhz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr 内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits， 第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位） ×16片/8bits=256mb（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算 ，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另 一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两 位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存 条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。 ********************************************************************** mosel（台湾茂矽） 台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为 v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit ，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns ********************************************************************** nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五 位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量 8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。 v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt 内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日 期为2003年第27周 ********************************************************************** ***常见封装形式 *** 　　TSOP 　　目前大多数的内存都采用TSOP的封装形式，到目前为止，TSOP依然保持着内存封装的主流地位。 　　TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，意即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM内存的集成电路两侧都有引脚，SGRAM内存的集成电路四面都有引脚。TSOP适合用SMT技术(表面安装技术)在PCB上安装布线。TSOP封装操作比较方便，可靠性也比较高。主流产品是HY，并且绝大多数都是SDRAM的产品。 　　BGA 　　为满足内存发展的需要，在原有封装方式的基础上，又增添了新的方式──球栅阵列封装，简称BGA。 　　BGA封装技术有这样一些特点：I/O引脚数虽然增多，但引脚间距并不小，从而提高了组装成品率。厚度和重量都较以前的封装技术有所减少。采用BGA新技术封装的内存，可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，与TSOP相比，具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。目前KingMax的内存就采用了该技术。 　　CSP 　　CSP(Chip Scale Package)，即芯片级封装的意思。作为新一代的芯片封装技术，CSP的性能又有了很大的提升。 　　CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1∶1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32mm2，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，更能提高内存芯片长时间运行时的可靠性，芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前很多的高频DDR内存采用该封装形式，如DDR400/433的内存条。 ********************************************************************** 但由于三星内存产品线规模较大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。不过，三星内存颗粒的型号通常采用一个16位的数字编码来命名。 　　格式为：K4XXXXXXXX-XXXXX 　　第1位代表的是芯片的功能：K表示是内存芯片 　　第2位表示的是芯片类型：4表示是DRAM 　　第3位是芯片的类型说明：S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 　　第4、5位表示容量和刷新速率，不同的编号代表不同的含义：64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbits的容量；28、27、2A代表128Mbits的容量；56、55、57、5A代表256Mbits的容量；51代表512Mbits的容量 　　第6、7位代表数据宽度：08代表8bit；16代表16bit；32代表32bit；64代表64bit 　　最后两位代表芯片的速率：60为6ns；70为7ns；7B/7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns 　　知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用16片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆位)×16片/8=256MB(兆字节)。 　　HY(现代)内存颗粒 　　现代内存是目前市场上最常见的一个内存品牌，不过我们能够买到的大多不是现代原厂的内存条，而是采用了现代内存颗粒