伯克利大学团队开发的BSIMSOI模型的最新版,其中NMOS和PMOS模型都是以VA语言编写,注意,虽然文档中没有说明使用尺寸,但是我试了一下,最小适用于0.18μm,沟长再小,短沟道效应比较严重,器件特性变化明显。
smic0.18工艺库
SMIC_0.18MMRF_Reference_Manual
CMOS电路模拟与设计-基于Hspice 348页 24.4M
Hspice(中文实用版)
0_18_mCMOS工艺下的新型ESD保护电路设计
上海交通大学的密码学与网络安全课程视频的讲稿,还望大家多多支持哦!
新秀勋章
创作能手
分享达人