GaN 氮化镓 NV6134A
这款GaNFastTM功率IC集成了高性能的eMode GaN FET与集成栅极驱动,以实现前所未有的高频和高效率运行。集成了GaNSenseTM技术,能够实时、准确地感知电压、电流和温度,进一步提高任何离散GaN或离散硅器件都无法实现的性能和稳健性。GaNSenseTM实现集成无损耗电流传感,消除外部电流传感电阻,提高系统效率。GaNSenseTM还具有短路和过温保护功能,以增加系统的鲁棒性,而自动待机模式提高了轻、小和空载效率。这些GaN ic结合了最高的dV/dt抗扰度、高速集成驱动和行业标准的低外形、低电感、SMT QFN封装,使设计人员能够实现简单、快速和可靠的解决方案。Navitas的GaN IC技术扩展了传统拓扑结构的能力,如反激式、半桥式、降压/升压、LLC和其他谐振转换器,以非常高的效率和低EMI达到MHz+频率,以非常有吸引力的成本结构实现前所未有的功率密度