西北工业大学832材料科学基础西工大考研复习笔记资料.rar

西工大材料学院纳米能源方向学长瓜皮酱独家整理，原创版权 内容：832材料科学基础背诵参考； 材科基历年考题考点分布（05-20）； 材科基历年考题练习； 材科基历年偏僻考点； 分章节笔记。 知识整理不易，且用且珍惜，希望能有用！

西北工业大学827信号与系统考研真题与答案.rar

上岸学长整理，一份考研资料足以！无需另寻他家！ 内容：02-21年真题和答案，部分答案有版权； 信号与系统课件+复习大纲； 信号与系统往年期末真题及答案。

西北工业大学西工大数字图像处理实验报告.docx

数字图像处理实验 实验报告要求： 实验报告应包含实验名称、实验内容、思想及原理、算法设计、代码设计及实现、实验结果及分析、结论等内容。实验结果必须包括原图像、结果图像和必要的数据图像。 实验1 直方图均衡化 编码实现直方图均衡化算法（不能使用第三方直方图均衡化函数）。 实验2 频率域滤波 图像中含有周期性干扰，设计使用频率域分析方法检测和去除图像周期性干扰的算法（可以使用第三方傅里叶变换和反变换函数）。 实验3 彩色图像去噪 对RGB彩色空间和HIS彩色空间去噪效果进行比较分析。按彩色数字图像获取过程对彩色图像添加噪声，在RGB和HIS彩色空间分别进行去噪，比较两者的差异并分析讨论。 实验4 形态学图像处理 设计和实现腐蚀、膨胀算法。并设计算法实现对二值图像中不同大小圆形区域的检测和提取（假设二值图像中只有圆形区域）。 实验5 图像分割 找一幅现实世界的图像，设计算法将图像中某一特定物体区域分割出来。

西北工业大学西工大射频集成电路设计实验（大作业）.doc

西北工业大学西工大射频集成电路设计实验（大作业）.doc

西北工业大学西工大射频集成电路设计实验运算放大器的设计与仿真 .docx

两级运算放大器的设计与仿真 本次参考教材，结合实际问题，设计两级全差分套筒式运算放大器。根据第五章的具体要求指标，分析约束条件，设计出差分放大器的共源共栅主体结构、共模负反馈结构，以及电压偏置电路。 一、 设计运算放大器结构及参数要求 1、 电路结构设计 两级原全差分共源共栅放大器 共模负反馈结构部分 电压偏置偏置电路 2、 运放电路设计指标分析 完整电路图： 说明：由于反馈电路与偏置电路直接与运放主电路输入连接，所以设计时并没有同教材步骤重复建立它们的symbol版图，这样可以直接使模块与主电路图直接相连，而不需要再次生成symbol对运放输入调用。 三、 仿真流程与结果 1、 运算放大器的交流特性仿真 激励源设置 设置工艺库模型 AC仿真参数 运放交流特性仿真结果 2、 运算放大器瞬态特性仿真 激励源设置 瞬态特性仿真结果 3、 压摆率仿真 激励源设置 标注输出波形 4、 共模抑制比仿真 激励源设置 共模增益特性

西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验八.docx

全差分运算放大器的设计 根据运放要求，直流增益大于 80dB ，单位增益带宽大于 50MHz ，单边输出摆幅大于 0.9V ，设计为共源共栅级联与共源极两级全差分运算放大器

西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验七.docx

带隙基准电路的设计 1、设计电路图： 2. 温度系数仿真结果： 3. 线性灵敏度的仿真结果: 附加：流镜自偏置电路设计： 1. 电路设计： 2. 温度系数仿真结果：

西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验六.docx

一、扫描栅源电压获取相关曲线。按照下图拓扑搭建电路。 二、扫描漏源电压获取相关曲线。对下图电路进行直流分析 ，进行扫描。获取以下曲线。

西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验五.docx

一、一阶工艺参数的提取 1. Bsim4 模型中的 mos 管共包含多少个参数？ 答：297 2. 找到栅氧化层厚度 toxref，计算单位面积的栅氧化层电容（介质为 SiO2， 计算结果以 fF/μm2为单位）。 答：Cox=11.5fFd/um^2 3. 低压 NMOS（cell name 为 nmos2，model name 为 nch）尺寸为 10μ/0.18μ， 漏源电压为1.8V，在栅源电压分别为1V和1.5V时仿真出器件的漏电流。 在此两组数据的基础上根据长沟道模型计算出 unCox(W/L)及 VTHN 答：栅源电压为1V时，如图 栅源电压为1.5V时，如图 由公式id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可以得到： VTH=1.2V 4. 根据第 3 问得到的参数，在漏源电压为 1.8V，栅源电压为 1.2V 时重新计 算漏电流的大小。将此结果与仿真结果进行比较，误差为多少？ 答：Vds=1.2V时，仿真如图 由id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可得到id=2.99mA 误差为0.19mA. 二、共源级放大器设计 1. 设计一个电流源做负载的共源级，如下图所示。 要求供电电压 1.8V，电流源提供的偏置电流为 0.35mA，输入管为 NMOS， 要求器件面积尺寸尽可能小，低频增益不小于 30。

西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验四.docx

一、 运放原理图及Symbol 建立 1. 最大增益为：49.29；输出偏置电压为2.03V；对应的输入offset为：-1.852e-3V 规定输出的偏置电压为2.124V 衰减到-3dB后，差模取值的范围为：-0.027~-0.016V 输出摆幅为：921.34mV~2.47V 2、功耗为：653.758uW 3、相位裕度为87.67（Deg），单位增益频率为：144.148MHz。 4、共模增益Acm=4.580e-8，所以CMRR=49.2958