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2N7002.pdf 2N7002是N沟道增强型垂直沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（Vertical DMOS FET），其特点和应用领域非常广泛，它通常被用于小功率的应用场合，比如小型家电产品、电脑周边设备、电源电路等。由于其体积小、电流大、...

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2N7002DW INFINEON 英飞凌芯片中文版规格书.pdf 《2N7002DW 英飞凌OptiMOS™小信号晶体管中文规格书解析》 2N7002DW是一款由英飞凌科技公司生产的双沟道N沟道增强型场效应晶体管，适用于逻辑电平操作，并具有高速开关能力。该芯片符合汽车电子委员会(AEC)的Q101...

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2N7002一款可应用电平转换的NMOS.pdf "NMOS晶体管2N7002的应用和特性" NMOS（N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管是一种常见的场效应晶体管，它广泛应用于电子设备和电路系统中。今天我们要讨论的就是NMOS晶体管2N7002的应用和特性。特性 ...

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2N7002芯片手册 N沟道 2N7002芯片手册 N沟道本文档主要介绍了2N7002芯片的手册，重点介绍了该芯片的特性、参数和应用。 2N7002芯片是SOT-23封装的MOSFET（N沟道），具有高密度单元设计、低RDS(on)、高饱和电流能力、可靠性强和高温稳定...

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2N7002中文资料 ### 2N7002 N-通道增强型场效应管技术资料解析 #### 概述 2N7002是一种N-通道增强型场效应管（MOSFET），广泛应用于电子设备中作为开关元件。该器件采用的是Fairchild Semiconductor公司的专有高密度单元设计DMOS...

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2N7002 3.3向5V转换标题中的“2N7002 3.3向5V转换”指的是使用2N7002小信号NMOS场效应晶体管进行电平转换，将3.3伏特的逻辑电平转换为5伏特的逻辑电平。这种转换在电子工程中常见于3.3V微控制器或集成电路与5V系统的接口设计。描述中...

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2N7002E手册 2N7002E数据手册解读 2N7002E是由ON半导体公司生产的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT-23表面贴装封装。该晶体管使用了Trench MOS™技术，使其具有极快的开关速度，适用于逻辑电平兼容、逻辑电平转换器以及...

评级：0 浏览量：170 收藏量：0 资源大小：80KB 上传时间：2019-03-01

2N7002LT1的技术参数产品型号:2N7002LT1源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7500最大漏极电流Id(on)(A):0.120通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-23/-55~150描述:小信号N沟道SOT23封装场效应管价格/1片(套):￥.35

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2n7002应用文档 Nmos芯片2n7002数据手册，内含相关关键参数与应用说明

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2N7002CK-VB一种N沟道SOT23封装MOS管本文将详细介绍一种广泛应用于多种电子设备中的N沟道SOT23封装MOS管——2N7002CK-VB。这款MOSFET不仅具备了多项优异的电气特性，而且其设计小巧，非常适合那些空间有限的应用环境。首先，2N7002CK-VB是一款N沟道场...

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2N7002E-VB场效应管一款N沟道SOT23封装的晶体管 2N7002E-VB MOSFET，作为该家族中的杰出代表，拥有诸多优异的特性，使其在各种电子系统与电路设计中成为首选。 2N7002E-VB是一款采用N沟道设计的MOSFET，封装在SOT23的小型封装中。SOT23封装由于其小体积和良好的热...

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2N7002ET1G-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析 2N7002ET1G-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于低电压、高速电路的应用。这款MOSFET采用SOT23封装，体积小巧，适合在空间有限的电路设计中使用。其主要特点包括： 1. **低阈值电压**：...

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2N7002-VB一种N沟道SOT23封装MOS管 2N7002-VB一种N沟道SOT23封装MOS管

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2n7002pdf nmos ### 2N7002 N-MOSFET 知识点详解 #### 一、概述 2N7002是一种广泛应用于开关电路中的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应管（N-MOSFET）。它具有低导通电阻、高静电放电耐受能力、高速开关特性以及易于并联使用的...

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2N7002KASOT-23小信号MOSFET规格书收集.pdf 《2N7002KASOT-23小信号MOSFET规格书》是关于2N7002K这款N沟道MOSFET的详细技术文档，主要适用于接口和切换应用。该器件具有ESD保护，可承受高达2000V的静电放电，具有低导通电阻、高密度单元设计、良好的可靠性和高...

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2N7002KT-VB一种N-Channel沟道SC75-3封装MOS管 2N7002KT-VB；Package：SC75-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V；ID：0.33A；Technology：Trench；

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2N7002KDW-VB一种N-Channel沟道SC70-3封装MOS管 2N7002KDW-VB；Package：SC70-3;Configuration：Single-N-Channel;VDS：60V;VGS：20（±V）;Vth：1.7V;RDS(ON)=4000mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V；ID：0.3A;Technology：Trench;

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2N7002BKT-VB一种N-Channel沟道SC75-3封装MOS管 2N7002BKT-VB；Package：SC75-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V；ID：0.33A；Technology：Trench；

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2N7002P-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002P-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002PT-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002PT-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002KW-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002KW-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002KU-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002KU-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002KB-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002KB-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002KA-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002KA-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002F-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002F-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002BK-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002BK-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002A-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002A-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002V-VB一种N+N-Channel沟道SC75-6封装MOS管 2N7002V-VB；Package：SC75-6；Configuration：Dual-N+N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=1500mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002VC-VB一种N+N-Channel沟道SC75-6封装MOS管 2N7002VC-VB；Package：SC75-6；Configuration：Dual-N+N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=1500mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002T-NL-VB一种N-Channel沟道SC75-3封装MOS管 2N7002T-NL-VB；Package：SC75-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V；ID：0.33A；Technology：Trench；

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2N7002-NL-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002-NL-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002LT3G-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002LT3G-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002T-VB SOT523一种N-Channel沟道SC75-3封装MOS管 2N7002T-VB SOT523；Package：SC75-3;Configuration：Single-N-Channel;VDS：60V;VGS：20（±V）;Vth：1.7V;RDS(ON)=2000mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V；ID：0.33A;Technology：Trench;

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2N7002PS-VB一种N+N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管 2N7002PS-VB；Package：SOT23-6；Configuration：Dual-N+N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V；ID：0.35A；Technology：Trench；

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2N7002MTF-NL-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002MTF-NL-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002KT1G-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002KT1G-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002KQ-7-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002KQ-7-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002KQ-13-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002KQ-13-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002K-13-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002K-13-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002BKS-VB一种N+N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管 2N7002BKS-VB；Package：SOT23-6；Configuration：Dual-N+N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V；ID：0.35A；Technology：Trench；

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2N7002A-13-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002A-13-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002DW-VB一种N+N-Channel沟道SC70-6封装MOS管 2N7002DW-VB；Package：SC70-6；Configuration：Dual-N+N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V；ID：0.35A；Technology：Trench；

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2N7002T-7-F-VB一种N-Channel沟道SC75-3封装MOS管 2N7002T-7-F-VB；Package：SC75-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V；ID：0.33A；Technology：Trench；

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2N7002-7-F-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002-7-F-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002-13-F-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002-13-F-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002Q-7-F-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002Q-7-F-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002K-T1-E3-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002K-T1-E3-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002K-7-F-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002K-7-F-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002E-7-F-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002E-7-F-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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2N7002A-7-F-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管 2N7002A-7-F-VB；Package：SOT23-3；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=3100mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V；ID：0.3A；Technology：Trench；

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