射频晶体管放大设计

ADS设计与仿真射频功率放大器的教程 本文借助ADS仿真软件的强大功能对晶体管进行建模仿真，在这个基础上对晶体管的稳定性进行了分析，采用了负载牵引法并结合Smith圆图，对输入输出阻抗匹配电路进行了仿真优化设计。   论文主要工作如下： ...

评级：5 浏览量：2138 收藏量：10 资源大小：22.28MB 上传时间：2021-07-07

自适应射频前馈放大器的设计 现代无线通信的迅猛发展日益朝着...一方面，人们广泛采用工作于甲乙类状态的大功率微波晶体管来提高传输功率和利用效率；另一方面，无源器件及有源器件的引入，多载波配置技术的采用等，都将导致输出信号的互调失真。

评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：217KB 上传时间：2020-10-21

基于X参数晶体管模型的宽带功率放大器设计 针对射频非线性行为建模技术,提出了一种与负载无关的晶体管X参数提取方法,并利用晶体管模型进行功率放大器设计。该方法在传统X参数提取过程中引入负载牵引技术,通过迭代获得与负载无关的晶体管X参数模型及其最佳负载...

评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：239KB 上传时间：2021-02-26

飞思卡尔扩大WiMAX 基站的射频功率晶体管的选择范围 近期，凭借第七代高压（HV7）射频 LDMOS技术，飞思卡尔半导体成功取得了在3.5 GHz 频段运行的符合WiMAX 基站所需的射频功率... 通过提供采用射频 LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够真正

评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：52KB 上传时间：2021-01-19

RFID技术中的自适应前馈射频功率放大器设计 因此，在设计射频功率放大器时，必须对其进行线性化处理，以便使输出信号获得较好的线性度。一般常用的线性化技术包括：功率回退、预失真、前馈等，其中，功率回退技术能有效的改善窄带信号的线性度，而预失真技术和...

评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：210KB 上传时间：2020-12-13

英飞凌发布用于700MHz频段的全新射频功率晶体管系列 英飞凌（Infineon）在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上，发布了专门面向700MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G（第四代）蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务，其中...

评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：57KB 上传时间：2021-01-19

TriQuint推出“绿色”基站RF晶体管放大器系列TriPower TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G/4G无线基站TriPower射频集成电路系列。TriPower器件解决网络运营商对消费者智能手机及类似产品迅速增长的高带宽要求的两大挑战。TriPower降低启动网络...

评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：95KB 上传时间：2021-01-20

小信号高频晶体管放大器.pdf 免费-综合文档 小信号高频晶体管放大器《射频集成电路设计基础》 讲义 小信号高频晶体管放大器 引言 信号流图及其应用 高频放大器的稳定性 等增益圆与功率增益 基于 Gp 的设计 参考文献 东南大学射频与光电集成电路研究所 陈...

评级：0 浏览量：101 收藏量：1 资源大小：985KB 上传时间：2021-05-25

通信与网络中的飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管采用Doherty放大器优化无线基站性能 飞思卡尔半导体推出7款性能卓越的LDMOS RF功率晶体管，能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。 　Doherty架构迅速成为行业标准，提供非常出色的效率，但也为设计带来挑战，因为同时...

评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：50KB 上传时间：2020-11-29

射频MOS管的非线性特性分析与线性度提高技术 基于射频(RF) MOS管的等效电路及非线性等效...将这些线性度提高技术应用在射频功率放大器(PA)上，该PA采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺设计，仿真结果表明：采用线性度提高技术后，该功率放大器的线性度提高了4~10 dB。

评级：0 浏览量：418 收藏量：1 资源大小：706KB 上传时间：2020-10-17

射频放大器的种类和结构 放大器电路的是微波晶体管。　射频功率放大器的工作频率很高，但相对频带较窄，射频功率放大器一般都采用选频网络作为负载回路。射频功率放大器可以按照电流导通角的不同，分为甲（A）、乙（B）、丙（C）三类工作...

评级：0 浏览量：130 收藏量：0 资源大小：90KB 上传时间：2021-01-20

通信与网络中的大功率宽带射频脉冲功率放大器设计 在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏差，易于阻抗匹配，另外偏置电路比较简单，...

评级：0 浏览量：197 收藏量：1 资源大小：178KB 上传时间：2020-11-30

解析CMOS伪差分E类射频功率放大器设计 在这种功率放大器中，功率管的驱动电压幅度必须足够强，使得输出功率管相当于一个受控的开关，在完全导通（晶体管工作于线性区）和完全截止（晶体管工作于截止区）之间瞬时切换。由于流过理想开关的电流波形和开关上...

评级：0 浏览量：135 收藏量：1 资源大小：217KB 上传时间：2021-01-20

微波低噪声晶体管放大器 微波低噪声晶体管放大器 早期为数不 多的中文射频课本

评级：5 浏览量：96 收藏量：2 资源大小：9.55MB 上传时间：2013-06-26

飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K 飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备的排放效率和功率增益。  该晶体管的操作电压为50...

评级：0 浏览量：95 收藏量：0 资源大小：61KB 上传时间：2021-01-19

运放式射频放大器详解 传统射频放大器使用分立晶体管有源器件，主要原因是器件价格低廉。而随着运放性能的提高和批量应用的推动，射频放大器采用运放已成大势所趋。相对于分立晶体管，高速运放确实有其长处：首先，前者构成的放大器，其...

评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：141KB 上传时间：2020-10-24

论文研究-IMT-Advanced系统基站射频功率放大器设计 .pdf IMT-Advanced系统基站射频功率放大器设计，武杰，于翠屏，本文的主要目的是设计一款能够应用于IMT-Advanced移动通信系统基站的射频功率放大器。基于晶体管模型和ADS软件仿真平台，最终设计出了

评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：315KB 上传时间：2019-08-15

基于射频功率放大器驱动器的无线系统设计 这使得CMOS驱动器能够直接连接并驱动LDMOS和GaN等功率晶体管。该驱动器的最大导通电阻为4.6Ω。2.4GHz时所测量的占空比控制范围为30.7%到71.5%.通过使用新型薄氧化层漏极延伸MOS器件，该驱动器可实现可靠的高压操作...

评级：0 浏览量：100 收藏量：0 资源大小：87KB 上传时间：2020-10-17

解决射频设计中的热问题 　防止电路热量积聚需要一定的想象力：可以想象成热量从一个热源（如功率晶体管）流向一个目的地（如散热片或设备底座）。 　理解热量在系统各射频/微波元件中是如何产生的也有助于热量分析。例如，功率放大器发热...

评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：123KB 上传时间：2021-01-19

射频电路设计中的热量分析 　防止电路热量积聚需要一定的想象力：可以想象成热量从一个热源（如功率晶体管）流向一个目的地（如散热片或设备底座）。 　理解热量在系统各射频/微波元件中是如何产生的也有助于热量分析。例如，功率放大器发热...

评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：92KB 上传时间：2020-10-23

RFID技术中的飞思卡尔扩大WiMAX 基站的射频功率晶体管的选择范围 近期，凭借第七代高压（HV7）射频 LDMOS技术，飞思卡尔半导体成功取得了在3.5 GHz 频段运行的符合WiMAX 基站所需的射频功率... 通过提供采用射频 LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够真正

评级：0 浏览量：88 收藏量：0 资源大小：53KB 上传时间：2020-12-10

RFID技术中的英飞凌发布用于700MHz频段的全新射频功率晶体管系列 英飞凌（Infineon）在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上，发布了专门面向700MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G（第四代）蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务，其中...

评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：58KB 上传时间：2020-11-19

RFID技术中的飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K 飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。  该晶体管的...

评级：0 浏览量：165 收藏量：0 资源大小：62KB 上传时间：2020-12-04

模拟技术中的TriQuint推出“绿色”基站RF晶体管放大器系列TriPower TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G/4G无线基站TriPower射频集成电路系列。TriPower器件解决网络运营商对消费者智能手机及类似产品迅速增长的高带宽要求的两大挑战。TriPower降低启动网络...

评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：87KB 上传时间：2020-11-07

模拟技术中的运放式射频放大器 传统射频放大器使用分立晶体管有源器件，主要原因是器件价格低廉。而随着运放性能的提高和批量应用的推动，射频放大器采用运放已成大势所趋。相对于分立晶体管，高速运放确实有其长处：首先，前者构成的放大器，其...

评级：0 浏览量：113 收藏量：0 资源大小：124KB 上传时间：2020-11-18

低噪声放大器的两种设计方法 本文以晶体管ATF54143 为例， 说明两种不同低噪声放大器的设计方法， 其频率范围为2~ 2. 2 GHz；晶体管工作电压为3 V；工作电流为40 mA; 输入输出阻抗为50Ω。 　1 定性分析 　1. 1 晶体管的建模 　通过网络...

评级：0 浏览量：401 收藏量：0 资源大小：1.02MB 上传时间：2021-01-20

基于自动建模的射频功率放大器的互连可靠性研究 通过编程实现电路的自动建模及仿真，得到互连线的几何尺寸、电流密度及环境温度与...实际中，为了保证功率放大器的可靠性设计，在选择合适尺寸的晶体管和工作状态时，还需综合权衡输出功率、增益、效率等各方面指标。

评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：342KB 上传时间：2020-10-16

模拟技术中的解析CMOS伪差分E类射频功率放大器设计 在这种功率放大器中，功率管的驱动电压幅度必须足够强，使得输出功率管相当于一个受控的开关，在完全导通（晶体管工作于线性区）和完全截止（晶体管工作于截止区）之间瞬时切换。由于流过理想开关的电流波形和开关上...

评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：221KB 上传时间：2020-10-22

基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器 而通过选择合适的功率放大器晶体管并设计合适放大器的偏置电路和开关控制信号，完全可以满足国家提出的标准，甚 ...

评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：157KB 上传时间：2020-10-19

模拟技术中的宽带功率放大器的设计 为了正确匹配，采用ADS的负载牵引法得到LD-MOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值，然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计，并使用ADS对设计的放大器进行仿真和优化。 　0 引 言 　宽带功率放大器...

评级：0 浏览量：459 收藏量：1 资源大小：214KB 上传时间：2020-11-11

基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计 当今低噪声放大器主要采用单片微波集成电路（MMIC）技术，将所有有源器件（如双极性晶体管或场效应晶体管）和无源器件（如电阻器、电感器、电容器和传输线等）全部集成在一块半导体晶片上，以实现低噪声放大功能，...

评级：5 浏览量：612 收藏量：4 资源大小：425KB 上传时间：2021-01-20

采用射频功率放大器驱动器的无线系统实现 这使得CMOS驱动器能够直接连接并驱动LDMOS和GaN等功率晶体管。该驱动器的导通电阻为4.6Ω。2.4GHz时所测量的占空比控制范围为30.7%到71.5%.通过使用新型薄氧化层漏极延伸MOS器件，该驱动器可实现可靠的高压操作，而...

评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：219KB 上传时间：2021-01-19

元器件应用中的飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K... 飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。  该晶体管的...

评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：60KB 上传时间：2020-12-03

模拟技术中的解析运放式射频放大器 传统射频放大器使用分立晶体管有源器件，主要原因是器件价格低廉。而随着运放性能的提高和批量应用的推动，射频放大器采用运放已成大势所趋。相对于分立晶体管，高速运放确实有其长处：首先，前者构成的放大器，其...

评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：162KB 上传时间：2020-10-22

两种低噪声放大器设计方法 低噪声放大器（LNA）是射频收发机的一个重要组成部分，它能有效...本文以晶体管ATF54143为例，说明两种不同低噪声放大器的设计方法，其频率范围为2~2.2GHz；晶体管工作电压为3V；工作电流为40mA;输入输出阻抗为50Ω。

评级：0 浏览量：283 收藏量：1 资源大小：371KB 上传时间：2020-10-23

射频电子线路电子教案：2.1.4 晶体管高频小信号单调谐回路谐振放大器.ppt 射频电子线路电子教案：2.1.4 晶体管高频小信号单调谐回路谐振放大器.ppt

评级：0 浏览量：147 收藏量：0 资源大小：1.89MB 上传时间：2022-07-04

射频功放非线性分析与测试 通过研究射频功率放大器非线性失真产生的理论原因，...基于功率晶体管AFT27S006N设计了一款应用于TD-LTE基站的功率放大器。经测试，此功放峰值功率为7 W，PAE为53%，Pout回退到1 W时IMD3达到了-43 dBc，符合设计指标。

评级：0 浏览量：413 收藏量：0 资源大小：344KB 上传时间：2020-10-17

2.45 GHz单级低噪声放大器的设计 设计了一种基于高电子迁移率晶体管ATF54143的单级低噪声放大器,采用ADS软件进行了设计优化。仿真结果表明在2.45 GHz处噪声系数小于1.5 d B,增益大于16.4 d B,稳定系数大于1.1,输入与输出的电压驻波比都小于1.1。在...

评级：5 浏览量：415 收藏量：2 资源大小：356KB 上传时间：2021-02-09

RFID技术中的解决射频设计中的热问题 　防止电路热量积聚需要一定的想象力：可以想象成热量从一个热源（如功率晶体管）流向一个目的地（如散热片或设备底座）。 　理解热量在系统各射频/微波元件中是如何产生的也有助于热量分析。例如，功率放大器发热...

评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：126KB 上传时间：2020-10-20

RFID技术中的采用射频功率放大器驱动器的无线系统实现 这使得CMOS驱动器能够直接连接并驱动LDMOS和GaN等功率晶体管。该驱动器的最大导通电阻为4.6Ω。2.4GHz时所测量的占空比控制范围为30.7%到71.5%.通过使用新型薄氧化层漏极延伸MOS器件，该驱动器可实现可靠的高压操作...

评级：0 浏览量：121 收藏量：0 资源大小：236KB 上传时间：2020-10-20

通信与网络中的瑞萨科技发布硅锗功率晶体管应用于无线LAN终端等功率放大器 作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。 RQG2003的功能总结如下。 （1）业界最高的性能水平，有助于实现低功耗产品 在5GHz...

评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：40KB 上传时间：2020-11-26

基于SiGe HBT的38 GHz功率放大器设计 提出了HBT集电极寄生电容和传输线谐振的方法减小芯片面积，针对毫米波频段下，晶体管可获得最大增益较低，采用堆叠晶体管提高了功率放大器的增益，同时通过优化有源器件参数，提高了功率放大器的输出功率和效率。...

评级：0 浏览量：174 收藏量：0 资源大小：321KB 上传时间：2020-10-16

2.45 GHz 0.18 μm CMOS高线性功率放大器设计 采用自偏置技术放宽功放的热载流子降低的限制并减小采用厚栅晶体管所带来的较差的射频性能。同时使用带隙基准产生一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流基准。采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺进行设计，该功率放大器...

评级：0 浏览量：346 收藏量：3 资源大小：193KB 上传时间：2020-10-17

驱动级功率放大器的设计与实现 设计了一个工作频段在902 MHz～928 MHz，输出功率为19 dBm、功率增益高达27 dBm、应用于射频识别(RFID)系统的驱动级功率放大器。为缩短功率放大器的研发周期并提高其开发的成功率，设计运用了仿真优化和实际测试相...

评级：0 浏览量：594 收藏量：1 资源大小：288KB 上传时间：2020-10-26

AB类LDMOS基站大功率放大器设计 采用LDMOS晶体管设计了一款工作频段在2.11~2.17 GHz的AB类功率放大器，完成了匹配电路的设计，在工作频段内S11<-10 dB，S21>18.7 dB，最大线性输出功率P1dB> 51 dBm，其相应的漏极效率在59%以上；从P1dB点...

评级：0 浏览量：212 收藏量：0 资源大小：1.12MB 上传时间：2021-01-27